วิทยานิพนธ์ (วศ.ม.)--จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย, 2541

งานวิจัยนี้เป็นการศึกษาปรากฏการณ์อิเล็กโทรไมเกรชันบนฟิล์มบางของหัวอ่านเขียนแบบแมกนีโทรีซิสทีฟสำหรับฮาร์ดดิสก์ไดร์ฟ และสร้างโมเดลสำหรับทำนายอายุการใช้งานและเวลาการประลัย วิธีการทดสอบและการยืนยันความถูกต้อง ผลิตภัณฑ์ที่ใช้ในการทดลอง คือ หัวอ่านเขียนแมกนีโทรีซิสทีฟแบบ A และแบบ B กราฟของการทำนายอายุการใช้งานได้จากการใช้แนวทางของโมเดลอาร์ฮีเนียส ซึ่งได้จากการใช้วิธีการวิเคราะห์ความถดถอยบนข้อมูลที่ได้จากการทดสอบ ผลการทดสอบได้โมเดลอายุการใช้งานโดยมีค่า activation energy เท่ากับ 0.66851 eV สำหรับหัวอ่านเขียนแมกนีโทรีซิสทีฟแบบ A และ 0.76174 eV สำหรับหัวอ่านเขียนแมกนีโทรีซิสทีฟแบบ B โมเดลนี้นำไปคำนวณค่าความต้านทานสูงสุดของแมกนีโทรีซิสทีฟ และค่าความสูงต่ำสุดของสไตรป์ของหัวอ่านเขียนแมกนีโทรีซิสทีฟสำหรับอายุการใช้งาน 5 ปี ที่ 12.5, 17, 25, 50 และ 100% duty cycle หัวอ่านเขียนแมกนีโทรีซิสทีฟที่ผ่านการทดสอบอิเล็กโทรไมเกรชันและเกิดการประลัย ได้ถูกนำมาวิเคราะห์หาสาเหตุการประลัยด้วยเทคนิคการวิเคราะห์การประลัยหลายวิธี เช่น Field Emission Scanning Electron Microscope (FESEM), Energy Dispersive Spectrometer (EDS), Focused Ion Beam (FIB) และ Scanning Probe Microscope (SPM) ผลการวิเคราะห์พบว่ามีการเกิดออกซิเดชันบนวัสดุเพอร์มัลลอย (Ni0.82 และ Fe0.18) ของแมกนีโทรีซิสทีฟ และบริเวณชิลด์ทั้งสองที่อยู่รอบบริเวณแมกนีโทรีซิสทีฟ และมีการตรวจพบโพรง (void) ที่เกิดขึ้นภายในแมกนีโทรีซิสทีฟ เนื่องจากอิเล็กโทรไมเกรชัน โดยการใช้เทคนิค FIB และ FESEM