ในงานวิจัยนี้ ได้ศึกษาสารประกอบซิงค์ออกไซด์ในแง่ของการขยายช่องว่างแถบพลังงานกับ Mgo และในแง่ของการเตรียมโครงสร้างนาโนซิงค์ออกไซด์ด้วยวิธี อาร์เอฟสปัตเตอริง ฟิล์มบางของ MgxZn1-xO (x= 0-0.35) ถูกเคลือบลงบนกระจกด้วยวิธีอาร์เอฟสปัตเตอริง ที่กำลังสปัตเตอร์ 100-300 วัตต์ พลังงาน Urbach ซึ่งขึ้นกับ ความผิดปรกติของโครงสร้างถูกนำมาใช้เป็นตัววัดกำลังสปัตเตอร์ที่เหมาะสม พบว่าพลังงาน Urbach ค่าต่ำสุดเกิดขึ้นที่กำลังสปัตเตอร์ 150 วัตต์ แสดงถึงกำลังสปัตเตอร์ที่ เหมาะสมที่สุด จากการหาลักษณะเฉพาะ พบว่า ฟิล์มบางของ MgxZn1-xO ทั้งหมดโปร่งแสง และมีค่าช่องว่างแถบพลังงานสูงขึ้นกว่าของฟิล์ฒบาง ZnO(3.34-3.76 eV) ที่ปริมาณ Mg ต่ำกว่า 25% ฟิล์มที่ได้แสดงเฟสเฮกซะโกนอล โดยมีค่า c-lattice constant เท่ากับ 5.18 อังสตรอน แต่ที่ปริมาณ Mg เท่ากับ 30% และ 35% ฟิล์มที่ได้แสดง เฟสผสมของคิวบิค และเฮกซะโกนอล อีกอย่างหนึ่ง โครงสร้างนาโนซิงค์ออกไซด์ ได้ถูกสังเคราะห์ขึ้นบนแผ่นรองรับทองแดง ด้วยวิธีอาร์เอฟสปัตเตอริง จากผลการวิเคราะห์พบว่า โครงสร้างนาโนซิงค์ออกไซด์ที่เกิดขึ้น เป็นเส้นเข็มขัดนาโนซิงค์ออกไซด์ ที่เป็นผลึกเชิงเดี่ยวและมีโครงสร้างแบบ เฮกซะโกนอล มีความหนาประมาณ 10 นาโนเมตร กว้างประมาณ 50 นาโนเมตร และความยาวอยู่ในระดับไมโครเมตร เส้นเข็มขัดนาโนที่สังเคราะห์ได้สามารถนำไปประยุกต์ฬช้เป็นหัวตรวจวัดไอเอทานอล โดยมีสภาพไวในการตอบสนอง เท่ากับ 12 ที่ความเข้มข้น 100 พีพเอ็ม In this work, ZnO compound was studied in terms of widening bandgap with MgO and in terms of synthesis of ZnO nanostructure by rf sputtering. The thin films of MgxZn1-xO(x=0-0.35) were deposited on glass substrates by rf sputtering at sputtering power of 100-300 W. The Urbach energy which depends on structural defects was used to determine the optimum sputtering power. It was found that the lowest Urbach energy occurred at sputtering power of 150 W indicating the optimum sputtering power. From the characterzation, all MgxZn1-xO thin films are transparent and having larger bandgap than that of ZnO thin films (3.34-3.76 eV). At Mg content less than 25%, the sputtered films exhibit hexagonal phase with c-lattice constant of 5.18 A. But, at Mg content of 30% and 35% , the films exhibit mixing phase of cubic and hexagonal. In addition, ZnO nanostructures were successfully synthesized on copper substrates by rf sputtering. From the analysis, it was found that the obtained ZnO nanostructures exhibited nanobelt structure with single crystalline hexagoanal structure. The ZnO nanobelts have approximately the thickness of 10 mm, the width of 30 nm, and the length of several micrometers. These ZnO nanobelt can be used as ethanol sensor with the sensitivity of 12 at concentration of 100 ppm.