| ชื่อเรื่อง | : | Strain profile and size dependent electronic band structure of GeSn/SiSn quantum dots for optoelectronic application |
| นักวิจัย | : | Bose, Sumanta , Fan, W. J. , Chen, J. , Zhang, D. H. , Tan, C. S. |
| คำค้น | : | DRNTU::Engineering::Electrical and electronic engineering::Optics, optoelectronics, photonics |
| หน่วยงาน | : | Nanyang Technological University, Singapore |
| ผู้ร่วมงาน | : | - |
| ปีพิมพ์ | : | 2557 |
| อ้างอิง | : | Bose, S., Fan, W. J., Chen, J., Zhang, D.H., & Tan, C. S. (2014). Strain profile and size dependent electronic band structure of GeSn/SiSn quantum dots for optoelectronic application. 12th International Conference on Fiber Optics and Photonics. , http://hdl.handle.net/10220/25017 , http://dx.doi.org/10.1364/PHOTONICS.2014.S4D.5 |
| ที่มา | : | - |
| ความเชี่ยวชาญ | : | - |
| ความสัมพันธ์ | : | - |
| ขอบเขตของเนื้อหา | : | - |
| บทคัดย่อ/คำอธิบาย | : | We study self-assembled GeSn/SiSn quantum dots for optoelectronic application in the Silicon photonics domain. Valence force field and k.p methods are used to investigate the strain distribution and band structure with size effect. MOE (Min. of Education, S’pore) |
| บรรณานุกรม | : |
Bose, Sumanta , Fan, W. J. , Chen, J. , Zhang, D. H. , Tan, C. S. . (2557). Strain profile and size dependent electronic band structure of GeSn/SiSn quantum dots for optoelectronic application.
กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore. Bose, Sumanta , Fan, W. J. , Chen, J. , Zhang, D. H. , Tan, C. S. . 2557. "Strain profile and size dependent electronic band structure of GeSn/SiSn quantum dots for optoelectronic application".
กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore. Bose, Sumanta , Fan, W. J. , Chen, J. , Zhang, D. H. , Tan, C. S. . "Strain profile and size dependent electronic band structure of GeSn/SiSn quantum dots for optoelectronic application."
กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore, 2557. Print. Bose, Sumanta , Fan, W. J. , Chen, J. , Zhang, D. H. , Tan, C. S. . Strain profile and size dependent electronic band structure of GeSn/SiSn quantum dots for optoelectronic application. กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore; 2557.
|
ridm@nrct.go.th ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย รายการโปรดที่คุณเลือกไว้
