| ชื่อเรื่อง | : | Green electroluminescence from an n-ZnO : Er/p-Si heterostructured light-emitting diode |
| นักวิจัย | : | Iwan, S. , Bambang, S. , Zhao, J. L. , Tan, Swee Tiam , Fan, Hai Ming , Sun, L. , Zhang, S. , Ryu, H. H. , Sun, Xiaowei |
| คำค้น | : | DRNTU::Engineering::Electrical and electronic engineering::Optics, optoelectronics, photonics. |
| หน่วยงาน | : | Nanyang Technological University, Singapore |
| ผู้ร่วมงาน | : | - |
| ปีพิมพ์ | : | 2555 |
| อ้างอิง | : | Iwan, S., Bambang, S., Zhao, J. L., Tan, S. T., Fan, H. M., Sun, L., et al. (2012). Green electroluminescence from an n-ZnO : Er/p-Si heterostructured light-emitting diode. Physica B : condensed matter, 407(14), 2721-2724. , 0921-4526 , http://hdl.handle.net/10220/17751 , http://dx.doi.org/10.1016/j.physb.2012.03.072 |
| ที่มา | : | - |
| ความเชี่ยวชาญ | : | - |
| ความสัมพันธ์ | : | Physica B : condensed matter |
| ขอบเขตของเนื้อหา | : | - |
| บทคัดย่อ/คำอธิบาย | : | Erbium-doped ZnO (ZnO:Er) thin films with various doping concentrations were deposited on p-Si substrates by ultrasonic spray pyrolysis (USP). The n-ZnO:Er/p-Si heterojunctions were further employed to fabricate light-emitting diodes (LEDs). The devices showed diode-like rectifying current–voltage characteristics with a low reverse breakdown voltage, attributed to the avalanche breakdown. A distinct green electroluminescence peaking at 537 nm and 558 nm were observed at room temperature under reverse bias. The green electroluminescence originated from the electron impact excitation of Er3+ ions doped in ZnO films. |
| บรรณานุกรม | : |
Iwan, S. , Bambang, S. , Zhao, J. L. , Tan, Swee Tiam , Fan, Hai Ming , Sun, L. , Zhang, S. , Ryu, H. H. , Sun, Xiaowei . (2555). Green electroluminescence from an n-ZnO : Er/p-Si heterostructured light-emitting diode.
กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore. Iwan, S. , Bambang, S. , Zhao, J. L. , Tan, Swee Tiam , Fan, Hai Ming , Sun, L. , Zhang, S. , Ryu, H. H. , Sun, Xiaowei . 2555. "Green electroluminescence from an n-ZnO : Er/p-Si heterostructured light-emitting diode".
กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore. Iwan, S. , Bambang, S. , Zhao, J. L. , Tan, Swee Tiam , Fan, Hai Ming , Sun, L. , Zhang, S. , Ryu, H. H. , Sun, Xiaowei . "Green electroluminescence from an n-ZnO : Er/p-Si heterostructured light-emitting diode."
กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore, 2555. Print. Iwan, S. , Bambang, S. , Zhao, J. L. , Tan, Swee Tiam , Fan, Hai Ming , Sun, L. , Zhang, S. , Ryu, H. H. , Sun, Xiaowei . Green electroluminescence from an n-ZnO : Er/p-Si heterostructured light-emitting diode. กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore; 2555.
|
ridm@nrct.go.th ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย รายการโปรดที่คุณเลือกไว้
