| ชื่อเรื่อง | : | Characterization and modeling of atomic layer deposited high-density trench capacitors in silicon |
| นักวิจัย | : | Matters-Kammerer, Marion K. , Jinesh, K. B. , Rijks, Theo G. S. M. , Roozeboom, Fred. , Klootwijk, Johan H. |
| คำค้น | : | DRNTU::Engineering::Electrical and electronic engineering |
| หน่วยงาน | : | Nanyang Technological University, Singapore |
| ผู้ร่วมงาน | : | - |
| ปีพิมพ์ | : | 2555 |
| อ้างอิง | : | Matters-Kammerer, M. K., Jinesh, K. B., Rijks, T. G. S. M., Roozeboom, F., & Klootwijk, J. H. (2012). Characterization and Modeling of Atomic Layer Deposited High-Density Trench Capacitors in Silicon. IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing, 25(2), 247-254. , 0894-6507 , http://hdl.handle.net/10220/11448 , http://dx.doi.org/10.1109/TSM.2012.2183903 |
| ที่มา | : | - |
| ความเชี่ยวชาญ | : | - |
| ความสัมพันธ์ | : | IEEE transactions on semiconductor manufacturing |
| ขอบเขตของเนื้อหา | : | - |
| บทคัดย่อ/คำอธิบาย | : | A detailed electrical analysis of multiple layer trench capacitors fabricated in silicon with atomic-layer-deposited Al2O3 and TiN is presented. It is shown that in situ ozone annealing of the Al2O3 layers prior to the TiN electrode deposition significantly improves the electric properties of the devices such as the dielectric constant, leakage current, and the breakdown voltage of the devices. The self-inductance and self-resistance of the capacitors as derived from S-parameter measurements up to 10 GHz are very small, as low as 4 pH and 6 mΩ for 19.1 mm2 electrode surface. These data are shown to be consistent with a theoretical model. |
| บรรณานุกรม | : |
Matters-Kammerer, Marion K. , Jinesh, K. B. , Rijks, Theo G. S. M. , Roozeboom, Fred. , Klootwijk, Johan H. . (2555). Characterization and modeling of atomic layer deposited high-density trench capacitors in silicon.
กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore. Matters-Kammerer, Marion K. , Jinesh, K. B. , Rijks, Theo G. S. M. , Roozeboom, Fred. , Klootwijk, Johan H. . 2555. "Characterization and modeling of atomic layer deposited high-density trench capacitors in silicon".
กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore. Matters-Kammerer, Marion K. , Jinesh, K. B. , Rijks, Theo G. S. M. , Roozeboom, Fred. , Klootwijk, Johan H. . "Characterization and modeling of atomic layer deposited high-density trench capacitors in silicon."
กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore, 2555. Print. Matters-Kammerer, Marion K. , Jinesh, K. B. , Rijks, Theo G. S. M. , Roozeboom, Fred. , Klootwijk, Johan H. . Characterization and modeling of atomic layer deposited high-density trench capacitors in silicon. กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore; 2555.
|
ridm@nrct.go.th ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย รายการโปรดที่คุณเลือกไว้
