| ชื่อเรื่อง | : | Lanthanide-based graded barrier structure for enhanced nanocrystal memory properties |
| นักวิจัย | : | Chan, Mei Yin , Chan, T. K. , Osipowicz, T. , Chan, L. , Lee, Pooi See |
| คำค้น | : | DRNTU::Engineering::Materials |
| หน่วยงาน | : | Nanyang Technological University, Singapore |
| ผู้ร่วมงาน | : | - |
| ปีพิมพ์ | : | 2552 |
| อ้างอิง | : | Chan, M. Y., Chan, T. K., Osipowicz, T., Chan, L., & Lee, P. S. (2009). Lanthanide-based graded barrier structure for enhanced nanocrystal memory properties. Applied physics letters, 95(11). , http://hdl.handle.net/10220/8007 , http://dx.doi.org/10.1063/1.3224188 |
| ที่มา | : | - |
| ความเชี่ยวชาญ | : | - |
| ความสัมพันธ์ | : | Applied physics letters |
| ขอบเขตของเนื้อหา | : | - |
| บทคัดย่อ/คำอธิบาย | : | A memory structure comprising Ge nanocrystals and lanthanide-based charge trapping dielectric stack was fabricated to realize a self-aligned graded barrier structure. By exploiting efficient charge trapping of the nanocrystals embedded in the heterogeneous high-k dielectric, strong memory effect was manifested by a large counterclockwise capacitance-voltage hysteresis of 2.7 V under a low voltage operation of ±4 V. The high-k barrier with graded composition provides a favorable confinement barrier for improved hole retention with simultaneous enlargement of the memory window. |
| บรรณานุกรม | : |
Chan, Mei Yin , Chan, T. K. , Osipowicz, T. , Chan, L. , Lee, Pooi See . (2552). Lanthanide-based graded barrier structure for enhanced nanocrystal memory properties.
กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore. Chan, Mei Yin , Chan, T. K. , Osipowicz, T. , Chan, L. , Lee, Pooi See . 2552. "Lanthanide-based graded barrier structure for enhanced nanocrystal memory properties".
กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore. Chan, Mei Yin , Chan, T. K. , Osipowicz, T. , Chan, L. , Lee, Pooi See . "Lanthanide-based graded barrier structure for enhanced nanocrystal memory properties."
กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore, 2552. Print. Chan, Mei Yin , Chan, T. K. , Osipowicz, T. , Chan, L. , Lee, Pooi See . Lanthanide-based graded barrier structure for enhanced nanocrystal memory properties. กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore; 2552.
|
ridm@nrct.go.th ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย รายการโปรดที่คุณเลือกไว้
