งานวิจัยนี้เป็นการสร้างต้นแบบของระบบวัดโฟโตรีเฟลกแทนซ์สเปกโทรสโกปี ที่อุณหภูมิห้อง สำหรับศึกษาโครงสร้างแถบพลังงานของสารกึ่งตัวนำแกลเลียมอาร์เซไนด์ ระบบนี้จะติดตั้งบนโต๊ะแสงโดยมีแสงเลเซอร์จากฮีเลียมนีออนใช้ในการมอดุเลต ส่องผ่าน ตัวตัดแสงไปยังแผ่นฟิล์มสารกึ่งตัวนำแกลเลียมอาร์เซไนด์ ทำการแยกแสงจากหลอดไฟ ทังสเตนออกเป็นแสงที่มีความยาวคลื่น 700 ถึง 1300 นาโนเมตร โดยโมโนโครเมเตอร์และ ผ่านไปตกกระทบแผ่นฟิล์มสารกึ่งตัวนำ แล้ววัดแสงที่สะท้อนกลับด้วยตัวตรวจวัดซึ่งต่อเข้ากับ เครื่องขยายสัญญาณแบบล็อคอิน สัญญาณที่วัดได้มี 2 ส่วน คือ สัญญาณ a.c. ที่มีความ สัมพันธ์กับค่าการเปลี่ยนแปลงรีเฟลกติวิตี (reflectivity~i(+,D)R~i) และสัญญาณ d.c. ที่มีความสัมพันธ์กับค่ารีเฟลกติวิตี (reflectivity ~iR~i) ทั้งนี้คอมพิวเตอร์ถูก ใช้ทำการควบคุมระบบและเก็บข้อมูล พร้อมทั้งหาค่าสเปกตรัมของ ~i(+,D)R/R~i กับพลังโฟตอน ที่อุณหภูมิห้องสารกึ่งตัวนำแกลเลี่ยมอาร์เซไนด์มีค่าแถบพลังงานต้องห้าม 1.42(+,ฑ) 0.001 อิเล็กตรอนโวลต์ และเมื่ออุณหภูมิเพิ่มขึ้นค่าของแถบพลังงานต้องห้ามลดลง สามารถ หาค่าสัมประสิทธิ์อุณหภูมิจากสมการของ varshni ~iE(T)~i = ~iE~i(,0) - (+,a) ~iT~i(2)/((+,b) + ~iT~i) ** DOCUMENT BOUNDARY ***