วิทยานิพนธ์ฉบับนี้ได้ทำการเสนอผลการวิจัยเกี่ยวกับลักษณะโครงสร้างและคุณสมบัติ โฟโต้ลูมิเนสเซนซ์ ณ อุณหภูมิห้องของพอรัสซิลิกอน โดยชั้นพอรัสซิลิกอนที่นำมาศึกษาสามารถ สร้างขึ้นได้จากปฏิกิริยาการกัดทางไฟฟ้าเคมีที่เรียกว่า anodization ของแผ่นผลึกซิลิกอน ในสารละลายกรดไฮโดรฟลูออริก และเมื่อทำการฉายแสงอุลตร้าไวโอเลตที่มีความยาวคลื่น 365 นาโนเมตร ให้แก่พอรัสซิลิกอนก็จะเกิดปรากฎการณ์การเปล่งแสงแบบโฟโต้ลูมิเนสเซนซ์ ขึ้น ซึ่งในการทดลองได้ทำการศึกษาถึงโครงสร้างและคุณสมบัติโฟโต้ลูมิเนสเซนซ์ของพอรัส ซิลิกอนในส่วนของความยาวคลื่นและความเข้มแสงที่เงื่อนไขใน anodization ต่างๆ นอกจากนี้ยังได้ทำการศึกษาถึงผลของอุณหภูมิที่มีต่อคุณสมบัติโฟโต้ลูมิเนสเซนซ์ ตลอดจน เสถียรภาพโฟโต้ลูมิเนสเซนซ์ของพอรัสซิลิกอนที่อยู่ภายใต้แสงอุลตร้าไวโอเลตและสภาพ บรรยากาศของก๊าซชนิดต่างๆ ด้วย จากผลการศึกษาพบว่า การเปลี่ยนแปลงเงื่อนไขใน anodization อย่างใดอย่างหนึ่ง เช่น การเพิ่มค่าสภาพต้านทานของแผ่นผลึกซิลิกอนชนิดพี การลดค่าสภาพต้านทานของผลึกซิลิกอน ชนิดเอ็น การเพิ่มค่าความหนาแน่นกระแส การลดปริมาณความเข้มข้นของสารละลายกรด ไฮโดรฟลูออริก หรือการเพิ่มเวลาใน anodization มีผลทำให้ขนาดของโครงสร้างในระดับ นาโนเมตรและความยาวคลื่นแสงโฟโต้ลูมิเนสเซนซ์ของพอรัสซิลิกอนเปลี่ยนแปลงลดลงได้ ทั้งนี้ เป็นผลจากปรากฎการณ์ quantum size effect ส่วนการศึกษาผลของอุณหภูมิในช่วงตั้งแต่ 300 เคลวิน ไปจนถึง 20 เคลวิน พบว่าความเข้มแสงโฟโต้ลูมิเนสเซนซ์จะมีค่าเพิ่มสูงขึ้น เมื่อทำการลดอุณหภูมิภายในระบบให้มีค่าต่ำลง ในส่วนของการศึกษาผลของแสงอุลตร้าไวโอเลต และผลของก๊าซชนิดต่างๆ อันได้แก่ ไนโตรเจน, ออกซิเจน, อากาศและสูญญากาศ พบว่า การฉายแสงอุลตร้าไวโอเลตให้แก่พอรัสซิลิกอนเป็นเวลานานๆ มีผลทำให้ความเข้มแสงโฟโต้ ลูมิเนสเซนซ์มีการเปลี่ยนแปลงลดลงได้ และจะลดลงอย่างรวดเร็วมากเมื่อพอรัสซิลิกอนอยู่ใน สภาพแวดล้อมของก๊าซออกซิเจน จากผลการทดลองนี้สนับสนุนว่าการเปล่งแสงแบบโฟโต้ ลูมิเนสเซนซ์ของพอรัสซิลิกอน น่าจะเกิดขึ้นเนื่องจากการรวมตัวแบบเปล่งแสงที่บริเวณผิวของ นาโนพอรัสซิลิกอน สุดท้ายเป็นการนำเอาพอรัสซิลิกอน มาประยุกต์ใช้งานทางด้านอิเล็กทรอนิกส์ แสง โดยจะถูกนำมาสร้างเป็นอุปกรณ์ตรวจจับแสงที่สามารถตอบสนองต่อแสงในย่านที่ตามอง เห็นได้