วิทยานิพนธ์ฉบับนี้ได้เสนอแนทางใหม่ในการออกแบบ วงจรรวมเชิงอุปมานโดยใช้แกล-เลี่ยมอาร์เซไนด์เมสเฟท (GaAs MESFET) ซึ่งอุปกรณ์เมสเฟทนี้มีคุณสมบัติที่เหนือกว่า อุปกรณ์ไบโพล่าร์และมอสเฟท คือ สามารถประยุกต์ใช้งานย่าน ความถี่ได้สูงจนถึงย่าน GHz จึงทำให้วงจรที่ออกแบบขึ้นโดยใช้ แกลเลี่ยมอาร์เซไนด์เมสเฟท และอาศัยหลักการออกแบบวงจร รวมที่มีการทำงานอยู่ในรูปกระแส มีคุณสมบัติเด่นคือ มีช่วง ปฏิบัติการทางความถี่อยู่ในย่านสูงมาก ซึ่งในที่นี้วงจรที่นำ เสนอคือวงจรขยายค่าความนำ (operational transconductance amplifier, OTA) และวงจรสายพานกระแส (current conveyor) โดยวงจรแรกจะอาศัยคุณสมบัติของวงจรขยายความแตกต่าง (differential amplifier) ต่อร่วมกับวงจรสะท้อนกระแส (current mirror) และวงจรที่สองจะใช้คุณสมบัติของวงจร ตามศักดาและตามกระแสต่อร่วมกับวงจรสะท้อนกระแส เนื่องจาก อุปกรณ์ทั้งหมดที่ใช้ในการออกแบบล้วนแล้วแต่เป็นอุปกรณ์เมสเฟท ทั้งสิ้น ดังนั้นจึงมีความเป็นไปได้ที่จะนำเอาหลักการและแนวทาง ดังกล่าวไปพัฒนาสร้างขึ้นเป็นวงจรรวมต่อไป เพื่อยืนยันหลักการ ที่ได้นำเสนอในวิทยานิพนธ์จึงได้ทำการวิเคราะห์หาคุณสมบัติ ของวงจรในทางทฤษฎีเปรียบเทียบกับผลการเลียนแบบการ ทำงานของวงจรด้วยโปรแกรม PSPICE ผลที่ได้สามารถแสดง ให้เห็นถึงสมรรถนะตลอดจนผลตอบสนองทางความถี่ของวงจรว่า สอดคล้องเป็นไปตามแนวทางที่นำเสนอ