ทรานซิสเตอร์ชนิดใหม่โครงสร้างแบบ มอยซ์ (MOIS) เป็นทรานซิสเตอร์ที่มีโครงสร้างและการทำงานคล้ายกับมอส ทั่วไป แต่ฐานรองของมอยซ์นั้นเป็น ฐานรองเดิมที่ทำการแพร่ อะตอมของทองคำเข้าไป เพื่อเปลี่ยนแปลงคุณสมบัติทางไฟฟ้า ทำให้สามารถสร้างทั้งเอ็นมอยซ์ และพีมอยซ์บนฐานรองเดียว กันได้ ในวิทยานิพนธ์ฉบับนี้ ได้ทำการเสนอการศึกษาและวิจัย ผลของอะตอมทองคำต่อคุณสมบัติทางไฟฟ้าของอุปกรณ์ประเภทมอยซ์ เริ่มต้นที่การศึกษา และวิจัยผลของอะตอมของทองคำที่มีต่อ คุณสมบัติทางไฟฟ้าของฐานรอง พบว่าอุณหภูมิการแพร่ของ อะตอมทองคำ จาก 900,100 และ 1,000 และ 1,100 องศาเซลเซียส เป็นเวลา 90 นาที จะทำให้ค่าพิกัดความต้านทานของฐานรอง ชนิดเอ็น เปลี่ยนแปลงจาก 5โอห์มเซนติเมตรเป็น 2, 200 และ 550 กิโลโอห์ม - เซนติเมตร และค่าความหนาแน่นของอะตอม ทองคำเป็น 9.4x10(14), 1.4x10(15) และ 5x10(15) cm(-3) พลังงานฟอร์มิมีค่าเป็น 0.7 eV., 0.60 eV. และ 0.56 eV. ตามลำดับในกรณีคุณสมบัติทางไฟฟ้าและการทำงาน ของมอยซ์เฟสพบว่า ที่อุณหภูมิการแพร่ทองคำดังกล่าวข้างต้น เอ็มมอยซ์เฟต มีการทำงานเป็น ดีพลีชั่นโหมด และเอ็นฮานซ์เมนท์โหมดด้วยค่าแรงดันขีดเริ่มเป็น -1.8 และ 1.5 โวลท์ โดยที่อุณหภูมิการแพร่เป็น 900 องศาเซลเซียส ไม่เกิดปรากฎการณ์มอยซ์เฟตเลย ส่วนมีมอยซ์เฟตพบว่า การทำงานเป็นแบบเอ็นฮานซ์เมนซ์โหมดทั้งหมดโดยมีค่าแรงดัน ขีดเริ่มประมาณ -2.2, -2.4 และ -2.6 โวลท์ ตามลำดับสำหรับ ค่าความคล่องตัวของพาหนะทั้งอิเลคตรอนและโฮล มีค่าประมาณ 20 และ 92 cm(2)/v.s ที่อุณหภูมิการแพร่อะตอมของทองคำ 1100 องศาเซลเซียส