ในปัจจุบันนี้อุปกรณ์สารกึ่งตัวนำประเภทมอสเฟตได้รับความนิยม อย่างมาก ในการสร้างเป็นวงจรรวม เนื่องจากความก้วหน้าทางเทคโน โลยีทำให้มอสเฟตสร้างได้ง่าย และมีความเชื่อถือสูงซึ่งรวมถึงการสร้าง มอสเฟตกำลังด้วย นอกจากนี้มอสเฟตกำลังยังมีคุณสมบัติทางไฟฟ้าที่ดีกว่า อุปกรณ์กำลังประเภทอื่น ๆ หลายประการ ดังเช่น การทนกำลังสูง การตอบสนองความถี่สูง การสูญเสียกำลังทางด้านอินพุทต่ำและมีสัมประสิทธิ์ ทางอุณกภูมิเชิงลบเป็นต้น จึงทำให้มอสเฟตกำลังเป็นอุปกรณ์เหมาะสมที่จะ นำไปใช้งานในวงจรอิเล็กทรอนิกส์ต่าง ๆ ได้อย่างดี ในวิทยานิพนธ์ฉบับนี้จะได้นำเสนอแนวทางการออกแบบ กระวบการ สร้างมาตรฐาน กระบวนการเก็บบรรจุ และผลการทดลองของมอสเฟต กำลังแบบดีมอสและวีมอส ชนิดเอ็น-แชนแนล เอ็นฮานเมนต์โหมด ในลักษณะของอุปกรณ์ตัวเดี่ยว ๆ ซึ่งในการสร้างได้ใช้เทคนิคการแพร่สาร เจือ 2 ครั้งลงบนแผ่นผลึกซิลิกอน แบบอิพิแทกเชียล ชนิด N/N+ มอสเฟต กำลังที่ได้จะมีโครงสร้างผสมกันระหว่างมอสเฟตกับไบโพลาร์ทรานซิสเตอร์ ทำให้ได้ความยาวของช่องทางเดินกระแสสั้น ๆ เป็นผลให้มอสเฟตกำลัง ที่สร้างขึ้นสามารถนำกระแสไฟฟ้าสูงและมีการตอบสนองความถี่สูง โดย เริ่มต้นทำการศึกษาจากโครงสร้างของดีมอส ดังนี้ คือ ศึกษาความสัมพันธ์ ของกระแสเดรน การควบคุมแรงดันขีดเริ่ม ปรากฎการณ์การเกิดแรงดันพัง ทลายการตอบสนองความถี่ รวมถึงพารามิเตอร์ที่มีผลต่อประสิทธิภาพในการ ทำงานของดีมอส จากผลการทดลองสร้างดีมอสที่มีความยาวของช่องทางเดิน กระแส 10 (...) และความกว้างของช่องทางเดินกระแส 36,620(...) โดยมีแรงดันขีดเริ่ม 2.8 V นำกระแสไฟฟ้าได้ 2.1 A แรงดันพังทลาย 160 V และตอบสนองความถี่สูงสุด 51.92 MHz นอกจากนี้ยังได้ออกแบบ และสร้างมอสเฟตกำลัง ซึ่งเป็นโครงสร้างแบบวีมอส โดยมีความยาวของ ช่องทางเดินกระแสเพียง 2.9 (...) จากผลการทดลอง แสดงให้เห็นว่า ขนาดพื้นที่ซึ่งเท่ากัน มอสเฟตกำลังแบบวีมอสจะนำกระแสไฟฟ้าได้ดีและสูง กว่ามอสเฟตกำลังแบบดีมอสถึง 2.75 เท่า