งานวิจัยนี้มุ่งทำการทดลองศึกษาเพื่อพัฒนาโครงสร้าง และกระบวนการสร้างของสิ่งประดิษฐ์สารกึ่งตัวนำประเภทผลของ สนามไฟฟ้า โดยใช้วัสดุและเทคโนโลยีที่มีอยู่ในห้องปฏิบัติการ สิ่งประดิษฐ์สารกึ่งตัวนำของศูนย์วิจัยอิเล็กทรอนิกส์ คณะ วิศวกรรมศาสตร์ สถาบันเทคโนโลยีพระจอมเกล้าเจ้าคุณทหาร ลาดกระบัง ทำให้เกิดการพัฒนาสิ่งประดิษฐ์สารกึ่งตัวนำที่มี โครงสร้างใหม่ขึ้น เรียกว่ามอยซ์เฟต หรือมอยซ์ทรานซิสเตอร์ ซึ่งมีโครงสร้างประกอบด้วย ส่วนเดรน ส่วนซอส ส่วนเกท และ ฐานรอง โดยที่ฐานรองจะเป็นฐานรองซิลิกอนชนิดอินทรินซิค ซึ่งเกิดจากการแพร่อะตอมของทองคำเข้าไปในฐานรองซิลิกอน ชนิดเอ็น หรือชนิดพี ดังนั้นบนฐานรองซิลิกอนชนิดอินทรินซิคนี้ จึงสามารถใช้สร้างมอยซ์เฟตได้ทั้งชนิดเอ็นแชนแนล และพีแชนแนล บนฐานรองเดียวกัน จากข้อดีอันนี้ทำให้สามารถพัฒนาโครงสร้าง ของมอยซ์เฟตไปสู่วงจรรวมแบบคอมพลีเมนทารี ที่ไม่ต้องมี บ่อแยกได้โดยง่าย ในวิทยานิพนธ์ฉบับนี้ จะกล่าวถึงการพัฒนาโครงสร้าง ของมอยซ์เฟต, การปรับปรุงโหมดการทำงานของเอ็นมอยซ์เฟต ให้เป็นเอ็นฮานซ์เมนท์โหมด, การพัฒนามอยซ์เฟตไปสู่โครงสร้าง แบบคอมพลีเมนทารีมอยซ์, การพัฒนาระยะห่างระหว่างพีมอยซ์เฟต และเอ็นมอยซ์เฟตในโครงสร้างแบบคอมพลีเมนทารี่, การพัฒนา วงจรรวมแบบคอมพลีเมนทารี่มอยซ์, กระบวนการสร้าง, การ ทดลองและผลการทดลองวัดคุณสมบัติทางไฟฟ้าของมอยซ์เฟต