ในงานวิจัยนี้ได้ทำการเตรียมฟิล์มบางซิงค์ซัลไฟด์บนแผ่นรองรับที่เป็นกระจกโซดาไลม์ ขนาด 2 x 2.5 ตารางเซนติเมตร โดยวิธีการเคลือบอาบสารเคมี ซึ่งเตรียมโดยเงื่อนไขที่แตกต่างกัน เพื่อศึกษาอิทธิพลของช่วงเวลาที่ใช้ในการเตรียม อุณหภูมิที่ใช้ในการเตรียมและความเข้มข้นของสารตั้งต้นที่มีผลต่อความหนาและสมบัติของฟิล์ม โดยนำฟิล์มบางซิงค์ซัลไซด์มาวิเคราะห์ด้วยวิธีการเลี้ยวเบนของรังสีเอกซ์ วิธีเอนเนอร์ยีดิสเพอร์สีฟเอกซเรย์แอนนาไลซิส รวมทั้งการวิเคราะห์ทางแสงและทางไฟฟ้าซึ่งฟิล์มบางซิงค์ซัลไฟด์ที่เตรียมได้ มีพลังงานการย้ายสถานะของขอบการดูดกลืนพื้นฐานอยู่ในช่วงประมาณ 3.86 - 3.98 อิเล็กตรอนโวลต์ และมีค่าสภาพต้านทานไฟฟ้าประมาณ 10('6)โอห์ม-เซนติเมตร และเมื่อศึกษาเปรียบเทียบความแตกต่างระหว่างฟิล์มบางซิงค์ซัลไฟด์ที่ไม่ผ่านการแอนนีลกับฟิล์มที่ผ่านการแอนนีลที่อุณหภูมิต่างกัน พบว่าพลังงานการย้ายสถานะของขอบการดูดกลืนพื้นฐานของฟิล์มบางซิงค์ซัลไฟด์ที่ผ่านการแอนนีลมีค่าประมาณ 3.59-3.79 อิเล็กตรอนโวลต์ และโครงสร้างผลึกของฟิล์มบางซิงค์ซัลไฟด์ที่เตรียมได้มีลักษณะโครงสร้างเป็นแบบเวิร์ตไซต์