งานวิจัยนี้ได้ศึกษาการเกิดปฏิกิริยากรด-เบสและปฏิกิริยาการเกิดสารเชิงซ้อนระหว่างคอปเปอร์และซิงก์ไอออนบนผิวเกอไทต์ด้วยโพเทนชิโอเมทริกไทเทรชันที่อุณหภูมิ25.0(+,ฑ)0.1 องศาเซลเซียส ในช่วงพีเอช 3.5-9.5 และความแรงไอออนิกตั้งแต่ 0.001 ถึง0.500 โมลาร์โซเดียมไนเตรต จากการวิเคราะห์ผลการทดลองด้วยโปรแกรมคอมพิวเตอร์ได้ค่าคงที่สมดุลการเกิดสปีชีส์สำหรับแต่ละระบบ ดังนี้ ระบบกรด-เบส สปีชีส์ที่พบคือ(+,บ)FeO (log (+,b)('int)(,1,-1)=-9.9 ถึง -9.0) และ (+,บ)FeOH(,2)+(log (+,b)('int)(,1,1)=5.8 ถึง 6.8) ระบบการเกิดสารเชิงซ้อนของคอปเปอร์สปีชีส์ที่พบคือ (+,บ)FeOHCu('2+) (log (+,b)('int)(,1,0,1) = 4.5 ถึง 6.0),(+,บ)FeOCu('+) (log (+,b)('int)(,1,-1,1) = 0.8 ถึง 1.3) และ(+,บ)FeOCuOH (log (+,b)('int)(,1,-2,1)=-5.4 ถึง -8.0) ระบบการเกิดสารเชิงซ้อนของซิงก์ สปีชีส์ที่พบคือ (+,บ)FeOH)(,2)Zn('2+) (log (+,b)('int)(,2,0,1)=8.1ถึง 9.2), (+,บ)FeOZn('+) (log (+,b) ('int)(,1,-1,1) = -1.9 ถึง -3.0) และ(+,บ)FeOZn(OH)(,2)-(log (+,b)('int)(,1,-3,1) = -16.4 ถึง -18.2) ระบบการเกิดสารเชิงซ้อนของคอปเปอร์-ซัลเฟต สปีชีส์ที่พบคือ (+,บ)FeOHCuSO(,4)(log (+,b)('int)(,1,0,1,1) = 11.0 ถึง 13.7), (+,บ)FeOCuSO(,4)-(log (+,b)('int)(,1,-1,1,1)=6.0 ถึง 9.0) และ (+,บ)FeOCuOHSO(,4)('2-)(log (+,b)('int)(,1,-2,1,1)=1.7 ถึง 2.5) ระบบการเกิดสารเชิงซ้อนของซิงก์-ซัลเฟตสปีชี์ที่พบคือ ((+,บ)FeOH)(,2)ZnSO(,4) (log (+,b)('int)(,2,0,1,1)=18.0 ถึง 20.3),(+,บ)FeOZnSO(,4) (log (+,b)('int)(,1,-1,1,1)=11.7 ถึง 13.1) และ(+,บ)FeOZn(OH)(,2)SO(,4)('3-) (log (+,b)('int)(,1,-3,1,1)=-2.5) จากการสร้างแบบจำลองการดูดซับโดยอาศัย Constant Capacitance Model (CCM) ได้ไดอะแกรมที่แสดงการกระจายตัวของสปีชีส์ต่าง ๆ บนผิวเกอร์ไทต์ของระบบที่ศึกษาทั้งหมดพบว่าการดูดซับคอปเปอร์และซิงก์ไอออนบนผิวเกอร์ไทต์เพิ่มขึ้นเมื่อพีเอชสูงขึ้น และ adsorption edgeของคอปเปอร์และซิงก์ไอออนอยู่ในช่วงพีเอชประมาณ 4 ถึง 7 และ 5 ถึง 8 ตามลำดับ เมื่อมีซัลเฟตไอออนรวมอยู่ในระบบของคอปเปอร์และระบบของซิงก์พบว่าการดูดซับโลหะไอออนจะเพิ่มขึ้นในช่วงพีเอชต่ำๆ เนื่องจากเกิดสารเชิงซ้อนประเภทเทอร์แนรีระหว่างคอปเปอร์-ซัลเฟตและซิงก์-ซัลเฟตบนผิวเกอร์ไทด์ นอกจากนี้ยังพบว่าการเพิ่มค่าความแรงไอออนของสารละลาย 500 เท่า มีผลกระทบต่อค่าคงที่การเกิดสารเชิงซ้อนและปริมาณของคอปเปอร์และซิงก์ไอออนที่ถูกดูดซับเพียงเล็กน้อยเท่านั้น