วิทยานิพนธ์นี้นำเสนอการออกแบบวงจรขยายที่มีอัตราส่วนการขจัดแบบวิธีร่วมสูงสัญญาณรบกวนต่ำและออฟเซตต่ำซึ่งโดยทั่วไปเรียกว่า "วงจรขยายอินสตรูเมนท์" วงจรนี้ใช้เทคนิคการชอปเปอร์ร่วมกับวงจรกรองผ่านแถบโดยใช้วงจรกรองผ่านแถบแบบสวิตช์ตัวเก็บประจุในการออกแบบเพื่อเพิ่มความเข้าคู่ระหว่างความถี่การชอปเปอร์และความถี่ศูนย์กลางของวงจรกรองผ่านแถบ นอกจากนี้การใช้วงจรกรองผ่านแถบร่วมกับวิธีการชักตัวอย่างค่ายอดช่วยลดความจำเป็นในการใช้วงจรกรองป้องกันการเคลือบแฝงสำหรับขจัดสัญญาณรบกวนและฮาร์มอนิกคู่ของความถี่การชอปเปอร์และช่วยให้สามารถลดความถี่ในการชักตัวอย่างของวงจรแปลงผันสัญญาณแอนะลอกเป็นดิจิตอลลงถึง 16 เท่าโดยมีการเคลือบแฝงของสัญญาณรบกวนความถี่สูงเพิ่มขึ้นเพียงเล็กน้อย วงจรขยายอินสตรูเมนท์ต้นแบบถูกส่งไปเจือสารด้วยเทคโนโลยี 0.7(+,m)m CMOS ผลการทดสอบแสดงให้เห็นว่าวงจรต้นแบบมีอัตราขยายที่เลือกปรับค่าได้ระหว่าง 1x, 2x, 5x หรือ 10x107.1 เท่า มีแบนด์วิดท์ประมาณ 5.5 kHzมีออฟเซตและสัญญาณรบกวนขาเข้าอ้างอิงเท่ากับ 88.7 (+,m)V และ 17.2 nV/Sqrt.Hzตามลำดับ มีอัตราส่วนการขจัดแบบวิธีร่วมมากกว่า 137 dB และใช้กำลังงาน 11 mW ที่แหล่งจ่ายแรงดัน 5 V โดยมีความไม่เข้าคู่ระหว่างความถี่การชอปเปอร์และความถี่ศูนย์กลางของวงจรกรองผ่านแถบ 0.84%