การปลูกผลึกกึ่งตัวนำ CuInSe('2) จากสภาวะหลอมเหลวโดยวิธีไดเรกชันนัลฟรีซซิงของบริดจ์แมน-สโตคบาร์เกอร์แบบแนวนอน ให้ชนิดการนำไฟฟ้าเป็นทั้งชนิดเอ็นและชนิดพี ตามต้องการด้วยการเติมหรือลดปริมาณธาตุที่เป็นส่วนประกอบคือ Cu,In และ Se รวมทั้งการโดปด้วยสารประกอบ GaAs ลงไปในสารตั้งต้นได้ผลึกกึ่งตัวนำที่มีชนิดการนำไฟฟ้าเป็นชนิดพี ทำการผลึกจำนวน 10 ชุด ได้ผลึกกึ่งตัวนำที่มีสมบัติของความเป็นผลึกที่สมบูรณ์มากเพียง 1 ชุดคือ CISA3 ซึ่งปลูกจากการเติมธาตุ Se ได้ผลึกเดี่ยวที่มีขนาดใหญ่พอสมควร (ประมาณ 22 X 9 X 5 mm('3)) ระนาบที่แสดงบริเวณผิวหน้าเปิดเป็นระนาบ (112) ส่วนผลึกที่เหลือที่เตรียมได้เป็นผลึกพหุพันธ์เกรนใหญ่ จากการศึกษาสมบัติทางไฟฟ้าของผลึก พบว่า สภาพต้านทานไฟฟ้าของผลึก ค่อนข้างต่ำ คือ ในช่วง 4.7 ถึง 7.9(...) - cm ด้วยการวัดปรากฎการณ์ ฮอลล์ของผลึก CISA3 ทราบว่า ทั้งสภาพต้านทานไฟฟ้า สภาพเคลื่อนที่ได้ของฮอลล์ และความหนาแน่นของพาหะเปลี่ยนแปลงไปกับการเปลี่ยนแปลงของอุณหภูมิ ความ สัมพันธ์ระหว่างความหนาแน่นพาหะกับอุณหภูมิสอดคล้องกับการกำหนดให้มีสถานะผู้รับ ที่มีระดับพลังงานไอออนไนซ์ขนาด 58.5 meV เหนือขอบแถบเวเลนซ์และเป็นการ โดปแบบชดเชยบางส่วน การเปลี่ยนแปลงของสภาพเคลื่อนที่ได้ของฮอลล์เกิดจากกลไกการกระเจิงของพาหะโดยแอคูสติกโฟนอน การวัดโฟโตรีแฟลกแทนซ์จากสภาพพื้นผิวหน้าของชิ้นผลึกกึ่งตัวนำ CISA3 ความหนา 1 mm และพื้นที่กว้างประมาณ 1 cm('2) และพื้นที่กว้างประมาณ 1 cm ('2) ซึ่งได้ผ่านกระบวนการขัดเงา ได้ยอดแหลมของสเปกตรัมซึ่งแสดงถึง การย้ายสถานะพลังงานของพาหะที่ระดับพลังงานสองช่อง ช่วงแรกลักษณะสเปกตรัม สอดคล้องกับการย้ายสถานะจากระดับพลังงานสองระดับที่ใกล้กันมากตรงขอบของ แถบเวเลนซ์ซึ่งเกิดจากการแยกเนื่องจากสนานผลึกไปยังแถบการนำ การย้ายสถานะ ดังกล่าวนี้มีขนาด 1.015 eV และ 1.032 eV ที่อุณหภูมิห้อง และมีขนาด 1.033 eV และ1.038eVที่อุณหภูมิ12 K ในช่วงที่สองการย้ายสถานะเกิดขึ้นระหว่างแถบ การนำระดับพลังงานที่เกิดจากการแยกของอันตรกิริยา สปินกับออร์บิต การย้ายสถานะที่มีขนาดพลังงาน 1.273 eV ที่ 30 K และ 1.280 eV ที่ 80 K