ได้สร้างระบบเคลือบฟิล์มบางแบบดีซีแมกนิตรอนสปัตเตอริงซึ่งมี แหล่งกำเนิดการสปัตเตอร์แบบแมกนิตรอนระนาบวงกลมที่ระบายความร้อนด้วยอากาศ และใช้ในการเตรียมฟิล์มบางของโลหะโมลิบดีนัมและฟิล์มบางของโลหะ ผสมระหว่างทองแดงกับอินเดียมบนวัสดุรองรับซึ่งเป็นกระจก จากการวัดลักษณะสื่อของกระแสและความต่างศักย์ของระบบ พบว่า ลักษณะส่อนี้ได้รับอิทธิพลจากความเข้มของสนามแม่เหล็กที่ผิวเป้ามาก และมีความสอดคล้องกับสมการทั่วไปในรูป I=(...)(V - V(,o)('2)) ในช่วงความดันกาซที่จำกัดเมื่อความเข้มสนามแม่เหล็กคงที่ ฟิล์มบางของโลหะโมลิบดีนัมถูกเตรียมขึ้นจากการสปัตเตอร์เป้าโม-ลิบดินัมบริสุทธิ์ ฟิล์มบางของโมลิบดินัมที่เรียบ สะท้อนแสงดี และสภาพต้านทานไฟฟ้าต่ำประมาณ 20 ไมโครโอห์ม-เซนติเมตร สามารถเตรียมได้ทีอุณหภูมิของวัสดุรองรับ 100 องศาเซลเซียส ความดันของกาซอาร์กอนต่ำกว่า30 มิลลิทอรร์ และความต่างศักย์สูงกว่า 450 โวลท์ ผลการวัดการเลี้ยวเบนของรังสีเอ็กซ์แสดงว่าฟิล์มบางเหล่านี้เป็นผลึกพหุที่จัดเรียงตัวโดยหันระนาบ (110) ขนานกับระนาบของวัสดุรองรับ ฟิล์มบางของโลหะผสมระหว่างทองแดงกับอินเดียมถูกเตรียมขึ้นจากการสปัตเตอร์เป้าทองแดงที่ฝังอินเดียมบนพื้นที่ยังผลของการสปัตเตอร์ในอัตรา ส่วนต่าง ๆ กัน คือ 22, 38, และ 63 เปอร์เซ็นต์ ที่สภาวะในการเตรียม ฟิล์มเดียวกัน พบว่า สภาพต้านทานของฟิล์มสูงขึ้นเมื่ออัตราส่วนพื้นที่ของอินเดียมบนเป้าเพิ่มขึ้น และจากการวิเคราะห์รูปแบบการเลี้ยวเบนของรังสีเอ็กซ์ของฟิล์มบางทั้งสามชุด เปรียบเทียบกับรูปแบบการเลี้ยวเบนของรังสีเอ็กซ์จากฟิล์มบางของทองแดงและฟิล์มบางของอินเดียม พบว่า ฟิล์มบางที่ได้ เป็นโลหะผสมในเฟสอัลฟาของทองแดง ที่มีเปอร์เซ็นต์ของอินเดียมในเนื้อฟิล์ม เป็น 6.9, 10.4 และ 12.5 เปอร์เซ็นต์ ตามลำดับ