จุดมุ่งหมายหลักของงานนี้คือการนำเสนอการทดลองและการวิเคราะห์ผลที่เหมาะสมสำหรับศักย์ขวางขั้นต่ำของขั้วสัมผัสโลหะกับสารกึ่งตัวนำจากการวัดพบว่าสำหรับ Au/p-CuInSe(,2) และ Ni/p-CuInSe(,2) นั้นสามารถตรวจพบศักย์ขวางกั้นต่ำนี้ได้จากแบบจำลองเทียมริชาร์ดสันทำนายว่าสำหรับความหนาแน่นกระแสที่ใช้กันอยู่ในทางปฏิบัติ ขั้วสัมผัสทั้งหมดไม่สามารถปฏิบัติตัวเป็นขั้วสัมผัสโอห์มิกในช่วงอุณหภูมิต่ำได้จนถึงอุณหภูมิของไนโตรเจนเหลว ซึ่งเป็นช่วงอุณหภูมิที่ใช้วัดระดับพลังงานก่อกัมมันต์ จากการหาความสอดคล้องด้วยคอมพิวเตอร์ระหว่างข้อมูลและแบบจำลองพื้นฐานสำหรับศักย์ขวางกั้นต่ำ แสดงให้เห็นว่ากระแสที่เกิดจากการทะลุส่วนใหญ่มาจากโฮลเบา โดยอาจมีชั้นฉนวนบางแทรกอยู่ระหว่างโลหะ (Au,Ni) และสารกึ่งตัวนำ (p-CuInSe2) นอกจากนี้ยังพบว่าทองอาจทำให้ความหนาแน่นผู้รับลดลงในบริเวณที่ไม่ห่างจากรอยต่อมากนัก ค่าต่ำสุดของความต้านทานจำเพาะของขั้วสัมผัสทองกับ p-CuInSe(,2) ที่มีอยู่ในขณะนี้จะไม่ต่ำกว่า 1x10('-3)(...)-cm('2) ส่วน Mo/p-CuInSe(,2) นั้นพบว่า ขั้วสัมผัสหลังปรากฏการณ์ที่น่าสนใจคือ ที่บางช่วงของกระแสและอุณหภูมิ ที่อุณหภูมิต่ำศักย์ขวางกั้นต้องการแรงดันไฟฟ้าน้อยกว่าที่อุณหภูมิสูงเพื่อทำให้เกิดกระแสไหลคงที่