| ชื่อเรื่อง | : | ไดโอดเลเซอร์โครงสร้างเฮตเทอโรชนิดแกลเลียมอาร์เซไนด์ / แกลเลียมอลูมิเนียมอาร์เซไนด์ สร้างโดยการปลูกผลึกแบบอิพิแทกซีสถานะของเหลว |
| นักวิจัย | : | สมชัย รัตนธรรมพันธ์ |
| คำค้น | : | GAAS-GAALAS , LIQUID PHASE EPITAXY , HETEROSTRUCTURE LASER DIODE , TWO-PHASE SOLUTION , SUPERCOOLING |
| หน่วยงาน | : | ฐานข้อมูลวิทยานิพนธ์ไทย |
| ผู้ร่วมงาน | : | - |
| ปีพิมพ์ | : | 2535 |
| อ้างอิง | : | http://www.thaithesis.org/detail.php?id=1082535000454 |
| ที่มา | : | - |
| ความเชี่ยวชาญ | : | - |
| ความสัมพันธ์ | : | - |
| ขอบเขตของเนื้อหา | : | - |
| บทคัดย่อ/คำอธิบาย | : | ไดโอดเลเซอร์ถูกประดิษฐ์สร้างขึ้นจากวิธีการปลูกผลึกแบบอิพิแทกซีสถานะของเหลวและนำเอาไดโอดเลเซอร์ที่สร้างขึ้นนี้มาตรวจสอบลักษณะสมบัติต่าง ๆ ในการสร้างนั้นได้ใช้การรวมเทคนิกของสารละลายสองสถานะและซุปเปอร์คูลลิงเพื่อประยุกต์ในการสร้างไดโอดเลเซอร์ที่มีชั้นเปล่งแสงและชั้นนำคลื่นที่ความบางมาก ซึ่งการรวมเทคนิกนี้สามารถทำได้อย่างมีประสิทธิผล ด้วยการใช้เป้าหลอมกราไฟต์แบบใหม่ที่ได้ออกแบบให้มีกลไกของการเลื่อนด้านข้าง โครงสร้างของไดโอดเลเซอร์ที่ใช้ในการศึกษานี้ได้แก่ ดับเบิลเฮตเทอโร เฮตเตอโรแบบสี่ชั้น และ เฮตเทอโรแบบเซพาเรทคอนไฟน์เมนท์ไดโอดเลเซอร์แบบควันตัมเวลล์เดี่ยวที่มีโครงสร้างเฮตเทอโรแบบเซพาเรทคอนไฟน์เมนท์ ซึ่งแกลเลียมอาร์เซไนด์เป็นชั้นเปล่งแสง หนา 300อังสตรอม ได้ถูกสร้างขึ้นที่อุณหภูมิ 795 c ด้วยเทคนิกดังกล่าว คุณสมบัติของไดโอดเลเซอร์แบบควันตัมเวลล์เดี่ยวนี้ได้แสดงปรากฏการณ์ควันตัมไซส์อันได้แก่ การมีสเปกตรัมของการเปล่งแสงแบบเกิดเองที่กว้างกว่าปกติ ซึ่งเกิดจากการกระตุ้นแบบอิเลกโตรลูมิเนสเซนซ์และโฟโตลูมิเนสเซนซ์ละมีการเปลี่ยนเลื่อนของค่าคลื่นยอดของแสงเลเซอร์จากด้านความยาวคลื่นยาวไปยังด้านความยาวคลื่นสั้นเมื่อกระแสฉีดมีค่าเพิ่มขึ้น ค่าความหนาแน่นกระแสขีดเริ่มตันของการเปล่งแสงเลเซอร์ของไดโอดเลเซอร์ที่มีโครงสร้างแบบพื้นที่กว้างซึ่งขนาดของคาวิตียาว 600 ไมครอน มีค่า 500 A/cm2 และได้กำลังแสงขาออกที่มากกว่า 400 มิลลิวัตต์ ภายใต้การไบอัสกระแสแบบพลัส ประสิทธิภาพควันตัมภายนอกของไดโอดเลเซอร์แบบควันตัมเวลล์เดี่ยวโครงสร้างเฮตเทอโรแบบเซพาเรทคอนไฟน์เมนท์ ซึ่งมีชั้นซิลิคอนไดออกไซด์ที่เปิดช่องกว้าง25 ไมครอน และมีคาวีตียาว 450 ไมครอน มีค่า 65% |
| บรรณานุกรม | : |
สมชัย รัตนธรรมพันธ์ . (2535). ไดโอดเลเซอร์โครงสร้างเฮตเทอโรชนิดแกลเลียมอาร์เซไนด์ / แกลเลียมอลูมิเนียมอาร์เซไนด์ สร้างโดยการปลูกผลึกแบบอิพิแทกซีสถานะของเหลว.
กรุงเทพมหานคร : ฐานข้อมูลวิทยานิพนธ์ไทย. สมชัย รัตนธรรมพันธ์ . 2535. "ไดโอดเลเซอร์โครงสร้างเฮตเทอโรชนิดแกลเลียมอาร์เซไนด์ / แกลเลียมอลูมิเนียมอาร์เซไนด์ สร้างโดยการปลูกผลึกแบบอิพิแทกซีสถานะของเหลว".
กรุงเทพมหานคร : ฐานข้อมูลวิทยานิพนธ์ไทย. สมชัย รัตนธรรมพันธ์ . "ไดโอดเลเซอร์โครงสร้างเฮตเทอโรชนิดแกลเลียมอาร์เซไนด์ / แกลเลียมอลูมิเนียมอาร์เซไนด์ สร้างโดยการปลูกผลึกแบบอิพิแทกซีสถานะของเหลว."
กรุงเทพมหานคร : ฐานข้อมูลวิทยานิพนธ์ไทย, 2535. Print. สมชัย รัตนธรรมพันธ์ . ไดโอดเลเซอร์โครงสร้างเฮตเทอโรชนิดแกลเลียมอาร์เซไนด์ / แกลเลียมอลูมิเนียมอาร์เซไนด์ สร้างโดยการปลูกผลึกแบบอิพิแทกซีสถานะของเหลว. กรุงเทพมหานคร : ฐานข้อมูลวิทยานิพนธ์ไทย; 2535.
|
