| ชื่อเรื่อง | : | การเตรียมผิวผลึกซิลิคอนแบบร่องและการประยุกต์ใช้งานกับเซลล์แสงอาทิตย์ |
| นักวิจัย | : | สุวัฒน์ โสภิตพันธ์ |
| คำค้น | : | - |
| หน่วยงาน | : | ฐานข้อมูลวิทยานิพนธ์ไทย |
| ผู้ร่วมงาน | : | - |
| ปีพิมพ์ | : | 2534 |
| อ้างอิง | : | http://www.thaithesis.org/detail.php?id=1082534000033 |
| ที่มา | : | - |
| ความเชี่ยวชาญ | : | - |
| ความสัมพันธ์ | : | - |
| ขอบเขตของเนื้อหา | : | - |
| บทคัดย่อ/คำอธิบาย | : | ได้มีการเตรียมผิวหน้าแว่นผลึกซิลิคอน ที่มีลักษณะเป็นรูตัว วีด้วยวิธีการกัดเนื้อผลึกซิลิคอน โดยขึ้นอยู่กับทิศทางของผลึก และการใช้เทคนิคด้าน โฟโตลิโทกราฟฟี ผิวผลึกซิลิคอนที่มีลักษณะเป็นรูปตัววีนี้ให้การสะท้อนแสงที่น้อยลงกว่าผิวเรียบ เพราะมีการดักแสงเกิดขึ้นมีการสร้างเซลล์แสงอาทิตย์ แบบหัวต่อ พีเอ็น ที่มีผิวรับแสงเป็นรูปตัววีและนำไปทดสอบสมรรถนะ พบว่าสามารถเพิ่มประสิทธิภาพ และกระแสไฟฟ้าลัดวงจร ของเซลล์แสงอาทิตย์แบบนี้ขึ้นได้อีก 25% และ 33%ตามลำดับ |
| บรรณานุกรม | : |
สุวัฒน์ โสภิตพันธ์ . (2534). การเตรียมผิวผลึกซิลิคอนแบบร่องและการประยุกต์ใช้งานกับเซลล์แสงอาทิตย์.
กรุงเทพมหานคร : ฐานข้อมูลวิทยานิพนธ์ไทย. สุวัฒน์ โสภิตพันธ์ . 2534. "การเตรียมผิวผลึกซิลิคอนแบบร่องและการประยุกต์ใช้งานกับเซลล์แสงอาทิตย์".
กรุงเทพมหานคร : ฐานข้อมูลวิทยานิพนธ์ไทย. สุวัฒน์ โสภิตพันธ์ . "การเตรียมผิวผลึกซิลิคอนแบบร่องและการประยุกต์ใช้งานกับเซลล์แสงอาทิตย์."
กรุงเทพมหานคร : ฐานข้อมูลวิทยานิพนธ์ไทย, 2534. Print. สุวัฒน์ โสภิตพันธ์ . การเตรียมผิวผลึกซิลิคอนแบบร่องและการประยุกต์ใช้งานกับเซลล์แสงอาทิตย์. กรุงเทพมหานคร : ฐานข้อมูลวิทยานิพนธ์ไทย; 2534.
|
