การวิจัยทำการศึกษาการออกแบบและพัฒนาการสังเคราะห์ฟิล์มเพชรโดยวิธี combustion CVD ซึ่งได้ออกแบบพัฒนาและจัดสร้างเครื่องมือผลิตฟิล์มเพชร โดย ประกอบด้วยหัวเชื่อมแก๊สและใช้ก๊าซ C(,2)H(,2) and O(,2) ฐานรองเป็นทังเสตนคาร์ไบด์ โคบอลท์ โดยมีระบบหล่อเย็นด้วยน้ำเพื่อควบคุมอุณหภูมิของฐานรอง จากการทดลองพบสภาวะที่เหมาะสมสำหรับการสังเคราะห์ฟิล์มเพชร เมื่อใช้อุณหภูมิ 700(+,ฐ)C อัตราส่วนก๊าซ O(,2 )/C(,2)H(,2) ที่เหมาะสมคือ 1.13 จากการวิเคราะห์ด้วย Raman spectroscopy พบว่ามีกราไฟต์เกิดขึ้นเล็กน้อย เมื่อวัดความแข็งได้ค่าประมาณ 1900-2900 HV ฟิล์มเพชรมีอัตราการโตเฉลี่ยไม่ต่ำกว่า 100 (+,m)m/hr ศึกษาอิทธิพลของ ปริมาณการไหลก๊าซ O(,2) และ C(,2)H(,2) (ณ อัตราส่วนก๊าซคงที่ 1.14) ระยะห่างระหว่าง เปลวในถึงฐานรอง และอุณหภูมิที่มีต่อขนาดของผลึกเพชร พบว่าการโตของผลึกเพชรเพิ่มขึ้น เมื่อเพิ่มอัตราการไหลก๊าซทั้งหมด (O(,2) และ C(,2)H(,2)) ที่อัตราส่วน O(,2)/C(,2)H(,2) คงที่ เมื่อลดระยะทางจากปลายเปลวกลางถึงฐานรองและเมื่อเพิ่มอุณหภูมิ เนื่องจากการเตรียมผิวฐานรองด้วยการขัดผงเพชรขนาด 1(+,m)m มีอัตราการเกิด นิวเคลียสดีที่สุดและเร็วกว่าการไม่เตรียมผิว จากการศึกษาการเกิดเป็นฟิล์มเพชร พบว่า ในช่วงเวลา 2-5 นาทีเกิดผลึกเพชรที่มีกราไฟต์เจือปนสูง ช่วงเวลาต่อมา 6-10 นาทีผลึกมี การเชื่อมต่อกันเป็นฟิล์มและฟิล์มโตสูงต่ำไม่เท่ากันและช่วงเวลาสุดท้าย 13-20 นาที ฟิล์มเพชรโตขึ้นมาเชื่อมต่อเป็นฟิล์มที่เต็มและแน่น มีความเรียบของผิวเพชรมากขึ้น