ridm@nrct.go.th   ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย   รายการโปรดที่คุณเลือกไว้

DC And RF Characterization Of n-GaN Schottky Diode For Microwave Application

หน่วยงาน Universiti Sains Malaysia, Malaysia

รายละเอียด

ชื่อเรื่อง : DC And RF Characterization Of n-GaN Schottky Diode For Microwave Application
นักวิจัย : Munir, Tariq
คำค้น : QC1 Physics (General)
หน่วยงาน : Universiti Sains Malaysia, Malaysia
ผู้ร่วมงาน : -
ปีพิมพ์ : 2554
อ้างอิง : http://eprints.usm.my/42797/1/TARIQ_MUNIR.pdf , Munir, Tariq (2011) DC And RF Characterization Of n-GaN Schottky Diode For Microwave Application. PhD thesis, Universiti Sains Malaysia.
ที่มา : -
ความเชี่ยวชาญ : -
ความสัมพันธ์ : http://ezproxy.usm.my/login?url=http ://ethesis.usm.my/jspui , http://eprints.usm.my/42797/
ขอบเขตของเนื้อหา : -
บทคัดย่อ/คำอธิบาย :

Gallium nitride is a promising wide bandgap semiconductor material for high-power, high temperature and high frequency device applications. However, there are still a number of factors that are limiting the material to reach a satisfactory device performance. Among them the most important and critical factors are the reverse leakage current, series resistance, junction capacitance and thermal stability that limits Schottky diode performance on gallium nitride for Direct Current (DC) and Radio Frequency (RF) characteristics. To overcome these limitations we studied the influence of metal contact, contact area, thermal behavior and edge termination on DC and RF characteristics of n-GaN Schottky diode by simulation and fabrication approach.

บรรณานุกรม :
Munir, Tariq . (2554). DC And RF Characterization Of n-GaN Schottky Diode For Microwave Application.
    กรุงเทพมหานคร : Universiti Sains Malaysia, Malaysia.
Munir, Tariq . 2554. "DC And RF Characterization Of n-GaN Schottky Diode For Microwave Application".
    กรุงเทพมหานคร : Universiti Sains Malaysia, Malaysia.
Munir, Tariq . "DC And RF Characterization Of n-GaN Schottky Diode For Microwave Application."
    กรุงเทพมหานคร : Universiti Sains Malaysia, Malaysia, 2554. Print.
Munir, Tariq . DC And RF Characterization Of n-GaN Schottky Diode For Microwave Application. กรุงเทพมหานคร : Universiti Sains Malaysia, Malaysia; 2554.