ในโครงงานวิจัยนี้ ได้ทำการเตรียมฟิล์มบางของสารกึ่งตัวนำดีบุกซัลไฟด์ ด้วยวิธีการระเหิดสารเคมีด้วยความร้อนในระยะประชิด โดยให้อุณหภูมิของสารตั้งต้นเท่ากับ 550, 560 และ 588 องศาเซลเซียส ตรวจสอบโครงสร้างผลึก สัณฐานวิทยาและองค์ประกอบทางเคมีของฟิล์มบางโดยวิธี XRD, SEM และ EDS ตามลำดับ ได้ทำการศึกษาสมบัติการสั่นไหวของพันธะของอะตอมในฟิล์มบางโดยวิธีฟูเรียร์แทรนฟอร์มอินฟราเรดสเปกโทรมิเตอร์ และรามาน สเปกโทรสโกปี ทำการศึกษาสมบัติทางแสงโดยการวัดสเปกตรัมการดูดกลืนแสงในช่วงความยาวคลื่น 300- 1,000 นาโนเมตร ทำการวัดสภาพต้านทานไฟฟ้า และปรากฏการณ์ฮอลล์โดยวิธีแวนเดอร์เพาว์ จากนั้นจึงทำการประดิษฐ์ไดโอดที่มีรอยต่อแบบวิวิธพันธุ์ของฟิล์มบางของสารกึ่งตัวนำ p-SnS/n-Si (100) โดยการเตรียมฟิล์มบางของสารกึ่งตัวนำ SnS โดยวิธีการระเหิดสารเคมีด้วยความร้อนในระยะประชิด เคลือบลงแผ่นผลึกเดี่ยวของสารกึ่งตัวนำ.n-Si.(100). พบว่าสิ่งประดิษฐ์นี้มีสมบัติเรียงกระแสที่ดี.จากการวัดความสัมพันธ์ระหว่างค่ากระแสไฟฟ้า และ ค่าแรงดันไฟฟ้า ที่อุณหภูมิต่ำในช่วง 100-300 เคลวิน สามารถคำนวณหาค่าความสูงของกำแพงศักย์ ค่าแฟกเตอร์อุดมคติ และค่าความต้านทานไฟฟ้าอนุกรม โดยอาศัยทฤษฎีเทอร์มิออนิกอิมิสชัน และวิธีของชวง ส่วนค่าความหนาแน่นของพาหะอิสระ ในฟิล์มบางของสารกึ่งตัวนำ SnS สามารถคำนวณได้จากการวัดความสัมพันธ์ระหว่าง ค่าความจุไฟฟ้า กับ ค่าแรงดันไฟฟ้า ที่อุณหภูมิห้องโดยมีค่าประมาณ 6.72x1013 ต่อลูกบาศก์เซนติเมตร คำสำคัญ : ฟิล์มบางของสารกึ่งตัวนำ SnS,วิธีการระเหิดสารเคมีด้วยความร้อนในระยะประชิด, สมบัติทางแสง, สมบัติทางไฟฟ้า