| ชื่อเรื่อง | : | การปรับปรุงสมบัติทางไฟฟ้าของเซรามิกเฟร์โรอิเล็กทริกที่มีเลดซิงค์ไนโอเบตเป็นองค์ประกอบหลักด้วยการใช้สารตั้งต้นแบบโคลัมไบด์และการเติมสารออกไซด์ |
| นักวิจัย | : | อธิพงศ์ งามจารุโรจน์ |
| คำค้น | : | เซรามิกเพียโซอิเล็กทริก , เลดซิงค์ไนโอเบต , โคลัมไบด์ , สารออกไซด์ |
| หน่วยงาน | : | สำนักงานการวิจัยแห่งชาติ |
| ผู้ร่วมงาน | : | รัตติกร ยิ้มนิรัญ , สุพล อนันตา |
| ปีพิมพ์ | : | 2553 |
| อ้างอิง | : | http://dric.nrct.go.th/Search/SearchDetail/252209 |
| ที่มา | : | - |
| ความเชี่ยวชาญ | : | - |
| ความสัมพันธ์ | : | - |
| ขอบเขตของเนื้อหา | : | - |
| บทคัดย่อ/คำอธิบาย | : | - |
| บรรณานุกรม | : |
อธิพงศ์ งามจารุโรจน์ . (2553). การปรับปรุงสมบัติทางไฟฟ้าของเซรามิกเฟร์โรอิเล็กทริกที่มีเลดซิงค์ไนโอเบตเป็นองค์ประกอบหลักด้วยการใช้สารตั้งต้นแบบโคลัมไบด์และการเติมสารออกไซด์.
กรุงเทพมหานคร : คณะวิทยาศาสตร์ มหาวิทยาลัยเชียงใหม่,. อธิพงศ์ งามจารุโรจน์ . 2553. "การปรับปรุงสมบัติทางไฟฟ้าของเซรามิกเฟร์โรอิเล็กทริกที่มีเลดซิงค์ไนโอเบตเป็นองค์ประกอบหลักด้วยการใช้สารตั้งต้นแบบโคลัมไบด์และการเติมสารออกไซด์".
กรุงเทพมหานคร : คณะวิทยาศาสตร์ มหาวิทยาลัยเชียงใหม่,. อธิพงศ์ งามจารุโรจน์ . "การปรับปรุงสมบัติทางไฟฟ้าของเซรามิกเฟร์โรอิเล็กทริกที่มีเลดซิงค์ไนโอเบตเป็นองค์ประกอบหลักด้วยการใช้สารตั้งต้นแบบโคลัมไบด์และการเติมสารออกไซด์."
กรุงเทพมหานคร : คณะวิทยาศาสตร์ มหาวิทยาลัยเชียงใหม่,, 2553. Print. อธิพงศ์ งามจารุโรจน์ . การปรับปรุงสมบัติทางไฟฟ้าของเซรามิกเฟร์โรอิเล็กทริกที่มีเลดซิงค์ไนโอเบตเป็นองค์ประกอบหลักด้วยการใช้สารตั้งต้นแบบโคลัมไบด์และการเติมสารออกไซด์. กรุงเทพมหานคร : คณะวิทยาศาสตร์ มหาวิทยาลัยเชียงใหม่,; 2553.
|
