ridm@nrct.go.th   ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย   รายการโปรดที่คุณเลือกไว้

การปรับปรุงสมบัติทางไฟฟ้าของเซรามิกเฟร์โรอิเล็กทริกที่มีเลดซิงค์ไนโอเบตเป็นองค์ประกอบหลักด้วยการใช้สารตั้งต้นแบบโคลัมไบด์และการเติมสารออกไซด์

หน่วยงาน สำนักงานการวิจัยแห่งชาติ

รายละเอียด

ชื่อเรื่อง : การปรับปรุงสมบัติทางไฟฟ้าของเซรามิกเฟร์โรอิเล็กทริกที่มีเลดซิงค์ไนโอเบตเป็นองค์ประกอบหลักด้วยการใช้สารตั้งต้นแบบโคลัมไบด์และการเติมสารออกไซด์
นักวิจัย : อธิพงศ์ งามจารุโรจน์
คำค้น : เซรามิกเพียโซอิเล็กทริก , เลดซิงค์ไนโอเบต , โคลัมไบด์ , สารออกไซด์
หน่วยงาน : สำนักงานการวิจัยแห่งชาติ
ผู้ร่วมงาน : รัตติกร ยิ้มนิรัญ , สุพล อนันตา
ปีพิมพ์ : 2553
อ้างอิง : http://dric.nrct.go.th/Search/SearchDetail/252209
ที่มา : -
ความเชี่ยวชาญ : -
ความสัมพันธ์ : -
ขอบเขตของเนื้อหา : -
บทคัดย่อ/คำอธิบาย : -
บรรณานุกรม :
อธิพงศ์ งามจารุโรจน์ . (2553). การปรับปรุงสมบัติทางไฟฟ้าของเซรามิกเฟร์โรอิเล็กทริกที่มีเลดซิงค์ไนโอเบตเป็นองค์ประกอบหลักด้วยการใช้สารตั้งต้นแบบโคลัมไบด์และการเติมสารออกไซด์.
    กรุงเทพมหานคร : คณะวิทยาศาสตร์ มหาวิทยาลัยเชียงใหม่,.
อธิพงศ์ งามจารุโรจน์ . 2553. "การปรับปรุงสมบัติทางไฟฟ้าของเซรามิกเฟร์โรอิเล็กทริกที่มีเลดซิงค์ไนโอเบตเป็นองค์ประกอบหลักด้วยการใช้สารตั้งต้นแบบโคลัมไบด์และการเติมสารออกไซด์".
    กรุงเทพมหานคร : คณะวิทยาศาสตร์ มหาวิทยาลัยเชียงใหม่,.
อธิพงศ์ งามจารุโรจน์ . "การปรับปรุงสมบัติทางไฟฟ้าของเซรามิกเฟร์โรอิเล็กทริกที่มีเลดซิงค์ไนโอเบตเป็นองค์ประกอบหลักด้วยการใช้สารตั้งต้นแบบโคลัมไบด์และการเติมสารออกไซด์."
    กรุงเทพมหานคร : คณะวิทยาศาสตร์ มหาวิทยาลัยเชียงใหม่,, 2553. Print.
อธิพงศ์ งามจารุโรจน์ . การปรับปรุงสมบัติทางไฟฟ้าของเซรามิกเฟร์โรอิเล็กทริกที่มีเลดซิงค์ไนโอเบตเป็นองค์ประกอบหลักด้วยการใช้สารตั้งต้นแบบโคลัมไบด์และการเติมสารออกไซด์. กรุงเทพมหานคร : คณะวิทยาศาสตร์ มหาวิทยาลัยเชียงใหม่,; 2553.