ridm@nrct.go.th   ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย   รายการโปรดที่คุณเลือกไว้

Rekabentuk Dan Fabrikasi Isfet Berasaskan Silikon Sebagai Penderia Ph

หน่วยงาน Universiti Sains Malaysia, Malaysia

รายละเอียด

ชื่อเรื่อง : Rekabentuk Dan Fabrikasi Isfet Berasaskan Silikon Sebagai Penderia Ph
นักวิจัย : Abdul Rani, Rozina
คำค้น : Q Science
หน่วยงาน : Universiti Sains Malaysia, Malaysia
ผู้ร่วมงาน : -
ปีพิมพ์ : 2550
อ้างอิง : http://eprints.usm.my/29347/1/Rekabentuk_dan_fabrikasi_isfet_berasaskan_silikon.pdf , Abdul Rani, Rozina (2007) Rekabentuk Dan Fabrikasi Isfet Berasaskan Silikon Sebagai Penderia Ph. Masters thesis, USM.
ที่มา : -
ความเชี่ยวชาญ : -
ความสัมพันธ์ : http://eprints.usm.my/29347/
ขอบเขตของเนื้อหา : -
บทคัดย่อ/คำอธิบาย :

Penyelidikan untuk menghasilkan penderia pH dengan menggunakan pendekatan Transistor Kesan Medan – sensitif terhadap ion (ISFET) telah dilakukan. This thesis describes the research activities on pH sensor development by using Ion Sensitive Field Effect Transistor (ISFET) approach.

บรรณานุกรม :
Abdul Rani, Rozina . (2550). Rekabentuk Dan Fabrikasi Isfet Berasaskan Silikon Sebagai Penderia Ph.
    กรุงเทพมหานคร : Universiti Sains Malaysia, Malaysia.
Abdul Rani, Rozina . 2550. "Rekabentuk Dan Fabrikasi Isfet Berasaskan Silikon Sebagai Penderia Ph".
    กรุงเทพมหานคร : Universiti Sains Malaysia, Malaysia.
Abdul Rani, Rozina . "Rekabentuk Dan Fabrikasi Isfet Berasaskan Silikon Sebagai Penderia Ph."
    กรุงเทพมหานคร : Universiti Sains Malaysia, Malaysia, 2550. Print.
Abdul Rani, Rozina . Rekabentuk Dan Fabrikasi Isfet Berasaskan Silikon Sebagai Penderia Ph. กรุงเทพมหานคร : Universiti Sains Malaysia, Malaysia; 2550.