| ชื่อเรื่อง | : | ลักษณะเฉพาะของอาร์กอนโกลว์ดิสชาร์จพลาสมาผลิตโดยใช้แหล่งไฟฟ้ากระแสสลับความถี่ต่ำ |
| นักวิจัย | : | วัชรพล คงพิบูลย์กิจ |
| คำค้น | : | - |
| หน่วยงาน | : | จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย |
| ผู้ร่วมงาน | : | รัฐชาติ มงคลนาวิน , จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย. คณะวิทยาศาสตร์ |
| ปีพิมพ์ | : | 2558 |
| อ้างอิง | : | http://cuir.car.chula.ac.th/handle/123456789/49481 |
| ที่มา | : | - |
| ความเชี่ยวชาญ | : | - |
| ความสัมพันธ์ | : | - |
| ขอบเขตของเนื้อหา | : | - |
| บทคัดย่อ/คำอธิบาย | : | วิทยานิพนธ์ (วท.ม.)--จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย, 2558 สมบัติของพลาสมาอาร์กอนโกลว์ดิสชาร์จผลิตที่ความดันต่างๆถูกวัดและนำเสนอในงานวิจัยนี้ พลาสมาอาร์กอนสร้างจากแผ่นตัวนำคู่ขนานซึ่งแหล่งกำเนิดพลาสมาคือแหล่งกำเนิดไฟฟ้ากระแสสลับ แหล่งกำเนิดไฟฟ้าสามารถผลิตความต่างศักย์ไฟฟ้าสูงที่ปรับความถี่ไฟฟ้าค่าต่างๆโดยระบบสามารถสร้างสนามไฟฟ้าระหว่างแผ่นโลหะคู่ขนาน ลักษณะเฉพาะของพลาสมาถูกวัดด้วยอุปกรณ์วัดทางแสง ซึ่งอุณหภูมิของอิเล็กตรอนสามารถหาได้จากระเบียบวิธีอัตราส่วนความเข้มแสงและวิธีการทางกราฟด้วยสมการโบลต์ซมันน์ ส่วนความหนาแน่นจำนวนอิเล็กตรอนสามารถหาได้จากสมการของซาฮา-โบลต์ซมันน์ ผลที่ได้แสดงค่าจำนวนความหนาแน่นจำนวนอิเล็กตรอนในช่วง 1015 - 1017 ตัวต่อลูกบาศก์เมตร ขณะที่อุณหภูมิของอิเล็กตรอนอยู่ในช่วง 1.00 - 1.50 อิเล็กตรอนโวลต์สำหรับสัญญาณสามเหลี่ยมในการปรับความถี่ในช่วง 500 - 8,000 เฮิรตซ์ ผลที่ได้มีค่าในช่วงที่ยอมรับได้เหมือนกับงานวิจัยก่อนหน้านี้ |
| บรรณานุกรม | : |
วัชรพล คงพิบูลย์กิจ . (2558). ลักษณะเฉพาะของอาร์กอนโกลว์ดิสชาร์จพลาสมาผลิตโดยใช้แหล่งไฟฟ้ากระแสสลับความถี่ต่ำ.
กรุงเทพมหานคร : จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย. วัชรพล คงพิบูลย์กิจ . 2558. "ลักษณะเฉพาะของอาร์กอนโกลว์ดิสชาร์จพลาสมาผลิตโดยใช้แหล่งไฟฟ้ากระแสสลับความถี่ต่ำ".
กรุงเทพมหานคร : จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย. วัชรพล คงพิบูลย์กิจ . "ลักษณะเฉพาะของอาร์กอนโกลว์ดิสชาร์จพลาสมาผลิตโดยใช้แหล่งไฟฟ้ากระแสสลับความถี่ต่ำ."
กรุงเทพมหานคร : จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย, 2558. Print. วัชรพล คงพิบูลย์กิจ . ลักษณะเฉพาะของอาร์กอนโกลว์ดิสชาร์จพลาสมาผลิตโดยใช้แหล่งไฟฟ้ากระแสสลับความถี่ต่ำ. กรุงเทพมหานคร : จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย; 2558.
|
ridm@nrct.go.th ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย รายการโปรดที่คุณเลือกไว้
