| ชื่อเรื่อง | : | Implanted and activated carbon distribution profiles in silicon: ion beam synthesis of silicon carbide = รูปแบบการกระจายของสารเจือคาร์บอนที่ถูกฝังและถูกกระตุ้นในซิลิกอน: การสังเคราะห์ซิลิกอนคาร์ไบด์ด้วยวิธีไอออนบีม / Saweat Intarasiri |
| นักวิจัย | : | Saweat Intarasiri |
| คำค้น | : | Silicon , Silicon carbide , Silicon carbide -- Testing |
| หน่วยงาน | : | มหาวิทยาลัยเชียงใหม่ |
| ผู้ร่วมงาน | : | - |
| ปีพิมพ์ | : | 2550 |
| อ้างอิง | : | Th 546.683 S271I , http://search.lib.cmu.ac.th/search/?searchtype=.&searcharg=b1420033 , http://cmuir.cmu.ac.th/handle/6653943832/34300 |
| ที่มา | : | - |
| ความเชี่ยวชาญ | : | - |
| ความสัมพันธ์ | : | - |
| ขอบเขตของเนื้อหา | : | - |
| บทคัดย่อ/คำอธิบาย | : | - |
| บรรณานุกรม | : |
Saweat Intarasiri . (2550). Implanted and activated carbon distribution profiles in silicon: ion beam synthesis of silicon carbide = รูปแบบการกระจายของสารเจือคาร์บอนที่ถูกฝังและถูกกระตุ้นในซิลิกอน: การสังเคราะห์ซิลิกอนคาร์ไบด์ด้วยวิธีไอออนบีม / Saweat Intarasiri.
เชียงใหม่ : มหาวิทยาลัยเชียงใหม่ . Saweat Intarasiri . 2550. "Implanted and activated carbon distribution profiles in silicon: ion beam synthesis of silicon carbide = รูปแบบการกระจายของสารเจือคาร์บอนที่ถูกฝังและถูกกระตุ้นในซิลิกอน: การสังเคราะห์ซิลิกอนคาร์ไบด์ด้วยวิธีไอออนบีม / Saweat Intarasiri".
เชียงใหม่ : มหาวิทยาลัยเชียงใหม่ . Saweat Intarasiri . "Implanted and activated carbon distribution profiles in silicon: ion beam synthesis of silicon carbide = รูปแบบการกระจายของสารเจือคาร์บอนที่ถูกฝังและถูกกระตุ้นในซิลิกอน: การสังเคราะห์ซิลิกอนคาร์ไบด์ด้วยวิธีไอออนบีม / Saweat Intarasiri."
เชียงใหม่ : มหาวิทยาลัยเชียงใหม่ , 2550. Print. Saweat Intarasiri . Implanted and activated carbon distribution profiles in silicon: ion beam synthesis of silicon carbide = รูปแบบการกระจายของสารเจือคาร์บอนที่ถูกฝังและถูกกระตุ้นในซิลิกอน: การสังเคราะห์ซิลิกอนคาร์ไบด์ด้วยวิธีไอออนบีม / Saweat Intarasiri. เชียงใหม่ : มหาวิทยาลัยเชียงใหม่ ; 2550.
|
ridm@nrct.go.th ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย รายการโปรดที่คุณเลือกไว้
