| ชื่อเรื่อง | : | การจำลองแบบการทำงานของทรานซิศเตอร์แบบ n - channal strained Si MOSFETs on SiGe-on-insulator ด้วยวิธีมอนติคาร์โล |
| นักวิจัย | : | อนุชา แยงไธสง |
| คำค้น | : | - |
| หน่วยงาน | : | ฐานข้อมูลโครงสร้างพื้นฐานภาครัฐด้านวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี กระทรวงวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี |
| ผู้ร่วมงาน | : | สวทช. |
| ปีพิมพ์ | : | 2548 |
| อ้างอิง | : | - |
| ที่มา | : | - |
| ความเชี่ยวชาญ | : | - |
| ความสัมพันธ์ | : | - |
| ขอบเขตของเนื้อหา | : | - |
| บทคัดย่อ/คำอธิบาย | : | - |
| บรรณานุกรม | : |
อนุชา แยงไธสง . (2548). การจำลองแบบการทำงานของทรานซิศเตอร์แบบ n - channal strained Si MOSFETs on SiGe-on-insulator ด้วยวิธีมอนติคาร์โล.
กรุงเทพมหานคร : ฐานข้อมูลโครงสร้างพื้นฐานภาครัฐด้านวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี กระทรวงวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี. อนุชา แยงไธสง . 2548. "การจำลองแบบการทำงานของทรานซิศเตอร์แบบ n - channal strained Si MOSFETs on SiGe-on-insulator ด้วยวิธีมอนติคาร์โล".
กรุงเทพมหานคร : ฐานข้อมูลโครงสร้างพื้นฐานภาครัฐด้านวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี กระทรวงวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี. อนุชา แยงไธสง . "การจำลองแบบการทำงานของทรานซิศเตอร์แบบ n - channal strained Si MOSFETs on SiGe-on-insulator ด้วยวิธีมอนติคาร์โล."
กรุงเทพมหานคร : ฐานข้อมูลโครงสร้างพื้นฐานภาครัฐด้านวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี กระทรวงวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี, 2548. Print. อนุชา แยงไธสง . การจำลองแบบการทำงานของทรานซิศเตอร์แบบ n - channal strained Si MOSFETs on SiGe-on-insulator ด้วยวิธีมอนติคาร์โล. กรุงเทพมหานคร : ฐานข้อมูลโครงสร้างพื้นฐานภาครัฐด้านวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี กระทรวงวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี; 2548.
|
ridm@nrct.go.th ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย รายการโปรดที่คุณเลือกไว้
