| ชื่อเรื่อง | : | Improving crystal quality of InGaAs/GaAs quantum dots by inductively coupled Ar plasma |
| นักวิจัย | : | Zhang, X. H. , Nie, Dong , Mei, Ting , Djie, Hery Susanto , Ooi, Boon Siew |
| คำค้น | : | DRNTU::Engineering::Electrical and electronic engineering::Electronic apparatus and materials |
| หน่วยงาน | : | Nanyang Technological University, Singapore |
| ผู้ร่วมงาน | : | - |
| ปีพิมพ์ | : | 2549 |
| อ้างอิง | : | Zhang, X. H., Nie, D., Mei, T., Djie, H. S., & Ooi, B. S. (2006). Improving crystal quality of InGaAs/GaAs quantum dots by inductively coupled Ar plasma. Applied Physics Letters, 88, 1-3. , 0003-6951 , http://hdl.handle.net/10220/6407 , http://dx.doi.org/10.1063/1.2215602 |
| ที่มา | : | - |
| ความเชี่ยวชาญ | : | - |
| ความสัมพันธ์ | : | Applied physics letters |
| ขอบเขตของเนื้อหา | : | - |
| บทคัดย่อ/คำอธิบาย | : | The crystal quality of InGaAs/GaAs quantum dots (QDs) is substantially improved without redistribution of composition using inductively coupled Ar plasma exposure. After plasma exposure, the QDs exhibit an increase in photoluminescence intensity by a factor of 1.7 while keeping the peak wavelength unshifted, and the band gap blueshift after rapid thermal annealing is suppressed, denoting an improvement in thermal stability. The time-resolved photoluminescence shows an increase in carrier lifetime from 735 to 1140 ps by plasma exposure, indicating the mechanism of grown-in defects reduction in the QD regions. |
| บรรณานุกรม | : |
Zhang, X. H. , Nie, Dong , Mei, Ting , Djie, Hery Susanto , Ooi, Boon Siew . (2549). Improving crystal quality of InGaAs/GaAs quantum dots by inductively coupled Ar plasma.
กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore. Zhang, X. H. , Nie, Dong , Mei, Ting , Djie, Hery Susanto , Ooi, Boon Siew . 2549. "Improving crystal quality of InGaAs/GaAs quantum dots by inductively coupled Ar plasma".
กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore. Zhang, X. H. , Nie, Dong , Mei, Ting , Djie, Hery Susanto , Ooi, Boon Siew . "Improving crystal quality of InGaAs/GaAs quantum dots by inductively coupled Ar plasma."
กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore, 2549. Print. Zhang, X. H. , Nie, Dong , Mei, Ting , Djie, Hery Susanto , Ooi, Boon Siew . Improving crystal quality of InGaAs/GaAs quantum dots by inductively coupled Ar plasma. กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore; 2549.
|
ridm@nrct.go.th ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย รายการโปรดที่คุณเลือกไว้
