| ชื่อเรื่อง | : | การปลูกฟิล์มบางซิงค์ซีลีไนด์โดยระบบระเหยสารด้วยลำอิเล็กตรอนในสุญญากาศสูง |
| นักวิจัย | : | กรรณิกา อุประโคตร |
| คำค้น | : | - |
| หน่วยงาน | : | ฐานข้อมูลวิทยานิพนธ์ไทย |
| ผู้ร่วมงาน | : | - |
| ปีพิมพ์ | : | 2545 |
| อ้างอิง | : | http://www.thaithesis.org/detail.php?id=66863 |
| ที่มา | : | - |
| ความเชี่ยวชาญ | : | - |
| ความสัมพันธ์ | : | - |
| ขอบเขตของเนื้อหา | : | - |
| บทคัดย่อ/คำอธิบาย | : | ในงานวิจัยนี้ได้ทำการเตรียมฟิล์มบางซิงค์ซีลีไนด์ที่ความหนา 100 นาโนเมตรถึง 1 ไมโครเมตรโดยวิธีการระเหยสารด้วยลำอิเล็กตรอนในสุญญากาศสูง บนแผ่นฐานรองรับที่เป็นแก้ว ที่การเปลี่ยนแปลงอุณหภูมิแผ่นฐานรองรับในช่วง 300-473 เคลวิน จากการตรวจสอบโดยวิธีการเลี้ยวเบนข |
| บรรณานุกรม | : |
กรรณิกา อุประโคตร . (2545). การปลูกฟิล์มบางซิงค์ซีลีไนด์โดยระบบระเหยสารด้วยลำอิเล็กตรอนในสุญญากาศสูง.
กรุงเทพมหานคร : ฐานข้อมูลวิทยานิพนธ์ไทย. กรรณิกา อุประโคตร . 2545. "การปลูกฟิล์มบางซิงค์ซีลีไนด์โดยระบบระเหยสารด้วยลำอิเล็กตรอนในสุญญากาศสูง".
กรุงเทพมหานคร : ฐานข้อมูลวิทยานิพนธ์ไทย. กรรณิกา อุประโคตร . "การปลูกฟิล์มบางซิงค์ซีลีไนด์โดยระบบระเหยสารด้วยลำอิเล็กตรอนในสุญญากาศสูง."
กรุงเทพมหานคร : ฐานข้อมูลวิทยานิพนธ์ไทย, 2545. Print. กรรณิกา อุประโคตร . การปลูกฟิล์มบางซิงค์ซีลีไนด์โดยระบบระเหยสารด้วยลำอิเล็กตรอนในสุญญากาศสูง. กรุงเทพมหานคร : ฐานข้อมูลวิทยานิพนธ์ไทย; 2545.
|
