ridm@nrct.go.th   ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย   รายการโปรดที่คุณเลือกไว้

การปลูกฟิล์มบางซิงค์ซีลีไนด์โดยระบบระเหยสารด้วยลำอิเล็กตรอนในสุญญากาศสูง

หน่วยงาน ฐานข้อมูลวิทยานิพนธ์ไทย

รายละเอียด

ชื่อเรื่อง : การปลูกฟิล์มบางซิงค์ซีลีไนด์โดยระบบระเหยสารด้วยลำอิเล็กตรอนในสุญญากาศสูง
นักวิจัย : กรรณิกา อุประโคตร
คำค้น : -
หน่วยงาน : ฐานข้อมูลวิทยานิพนธ์ไทย
ผู้ร่วมงาน : -
ปีพิมพ์ : 2545
อ้างอิง : http://www.thaithesis.org/detail.php?id=66863
ที่มา : -
ความเชี่ยวชาญ : -
ความสัมพันธ์ : -
ขอบเขตของเนื้อหา : -
บทคัดย่อ/คำอธิบาย :

ในงานวิจัยนี้ได้ทำการเตรียมฟิล์มบางซิงค์ซีลีไนด์ที่ความหนา 100 นาโนเมตรถึง 1 ไมโครเมตรโดยวิธีการระเหยสารด้วยลำอิเล็กตรอนในสุญญากาศสูง บนแผ่นฐานรองรับที่เป็นแก้ว ที่การเปลี่ยนแปลงอุณหภูมิแผ่นฐานรองรับในช่วง 300-473 เคลวิน จากการตรวจสอบโดยวิธีการเลี้ยวเบนข

บรรณานุกรม :
กรรณิกา อุประโคตร . (2545). การปลูกฟิล์มบางซิงค์ซีลีไนด์โดยระบบระเหยสารด้วยลำอิเล็กตรอนในสุญญากาศสูง.
    กรุงเทพมหานคร : ฐานข้อมูลวิทยานิพนธ์ไทย.
กรรณิกา อุประโคตร . 2545. "การปลูกฟิล์มบางซิงค์ซีลีไนด์โดยระบบระเหยสารด้วยลำอิเล็กตรอนในสุญญากาศสูง".
    กรุงเทพมหานคร : ฐานข้อมูลวิทยานิพนธ์ไทย.
กรรณิกา อุประโคตร . "การปลูกฟิล์มบางซิงค์ซีลีไนด์โดยระบบระเหยสารด้วยลำอิเล็กตรอนในสุญญากาศสูง."
    กรุงเทพมหานคร : ฐานข้อมูลวิทยานิพนธ์ไทย, 2545. Print.
กรรณิกา อุประโคตร . การปลูกฟิล์มบางซิงค์ซีลีไนด์โดยระบบระเหยสารด้วยลำอิเล็กตรอนในสุญญากาศสูง. กรุงเทพมหานคร : ฐานข้อมูลวิทยานิพนธ์ไทย; 2545.