วิทยานิพนธ์ฉบับนี้ทำการศึกษาและพัฒนานำฟิล์มเพชรมาสร้างเป็นอุปกรณ์ตรวจวัดแสง โดยใช้ฟิล์มเพชรที่สังเคราะห์ได้จากกระบวนการ CVD แบบลวดความร้อนที่ความดันต่ำ ทั้งชนิดอินทรินซิกและเติมอะตอมสารเจือโบรอน จากนั้นนำฟิล์มเพชรมาสร้างเป็นโครงสร้าง แบบโฟโตคอนดักเตอร์ เพื่อศึกษาคุณสมบัติทางแสงต่าง ๆ ของฟิล์มเพชร เช่น สเปกตรัม การตอบสนองต่อแสง ความเร็วในการตอบสนอง เสถียรภาพของอุปกรณ์เมื่ออุณหภูมิเปลี่ยนแปลง จากผลการทดลองพบว่าฟิล์มเพชรให้การตอบสนองที่ดีกับแสงอัลตร้าไวโอเลตความยาวคลื่นสั้น ช่วง UVC จากนั้นจึงนำฟิล์มเพชรที่เติมอะตอมสารเจือโบรอนในปริมาณต่าง ๆ มาสร้าง เป็นอุปกรณ์ตรวจวัดแสงโครงสร้างแบบชอตต์กีโฟโตไดโอด และทำการศึกษาคุณสมบัติต่าง ๆ ของอุปกรณ์ จากผลการทดลองพบว่าอุปกรณ์ชอตต์กีโฟโตไดโอดมีความแตกต่างการตอบสนอง ระหว่างแสงอัลตร้าไวโอเลตกับแสงตามองเห็นมากกว่าอุปกรณ์แบบโฟโตคอนดักเตอร์มาก ผลการศึกษาความเร็วในการตอบสนองพบว่าอุปกรณ์ชนิดอินทรินซิกมีช่วงเวลาขาขึ้นและขาลง ต่ำสุด 14~i(+,m)S~i และ 250~i(+,m)S~i ตามลำดับ มีปริมาณกระแสไฟฟ้ามืดต่ำสุด 0.05 nA มีอัตราส่วนสัญญาณรบกวนต่อสัญญาณจริงสูงสุด 97.5 dB และอุปกรณ์มีการเปลี่ยนแปลง ปริมาณกระแสไฟฟ้าโฟโตและกระแสไฟฟ้ามืดต่ำสุดเมื่ออุณหภูมิสูงขึ้น นอกจากนี้ยัง ศึกษาพารามิเตอร์ต่าง ๆ ในการออกแบบอุปกรณ์ที่มีผลต่อประสิทธิภาพการทำงานของอุปกรณ์ โดยทดลองกับอุปกรณ์ชนิด 10 ppm จากการทดลองพบว่าถ้าลดขนาดพื้นที่รอยต่อชอตต์กีลง จะทำให้ช่วงเวลาการตอบสนองเร็วขึ้น จากผลการทดลองเวลาขาขึ้นเท่ากับ 3~i(+,m)S~i ที่พื้นที่รอยต่อ 1.0 mm(2) และถ้าลดความหนาชั้นฟิล์มเพชรจะทำให้ช่วงเวลาตอบสนอง เร็วขึ้น โดยที่เวลาขาขึ้นมีค่าประมาณ 0.75 ~i(+,m)S~i ที่ความหนา 6 ไมครอน จากผล การทดลองพบว่าอุปกรณ์ชอตต์กีโฟโตไดโอดที่สร้างจากฟิล์มเพชรที่เติมปริมาณอะตอมสาร เจือต่ำหรือไม่เติมเลยจะมีประสิทธิภาพการทำงานดีกว่าอุปกรณ์ที่สร้างจากฟิล์มเพชร ที่เติมสารเจือในปริมาณสูงกว่าทั้งในแง่ของปริมาณกระแสโฟโต สัญญาณรบกวน ความเร็ว ในการตอบสนอง และเสถียรภาพของอุปกรณ์ต่ออุณหภูมิที่เปลี่ยนแปลง