ปัจจุบันมีการศึกษาถึงการนำสารกึ่งตัวนำชนิดใหม่เพื่อใช้งานแทนสารกึ่งตัวนำซิลิกอนและ แกลเลียมอาร์เซไนต์ เพชรซึ่งอยู่ในรูปหนึ่งของคาร์บอนได้รับการสนใจอย่างมาก เนื่องจากมี คุณสมบัติทางกายภาพที่ดีกว่าซิลิกอนและแกลเลียมอาร์เซไนต์หลายอย่าง อาทิเช่น เพชรมีค่า ช่องว่างแถบพลังงานต้องห้าม (E(,g)) สูงถึง 5.5 eV. มากที่สุดในบรรดาสารกึ่งตัวนำ ที่นำมาสร้างเป็นอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ในปัจจุบัน ทำให้เหมาะสมสำหรับใช้งานที่อุณหภูมิสูง นอกจากนี้ยังมีค่าความคล่องตัวของประจุพาหะ แรงดันทั้งหลายและความนำความร้อนสูง ดังนั้น เพชรจึงมีข้อดีหลายอย่างในการนำไปประยุกต์ใช้ จึงได้มีการสร้างและพัฒนาอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ จากเพชรขึ้น แต่ในการสร้างอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ที่มีโครงสร้างซับซ้อน หรือเทคโนโลยีการสร้าง วงจรรวมจำเป็นต้องมีการกำหนดขนาดและพื้นที่ในการสร้างฟิล์มเพชรให้แน่นอน ดังนั้นวิทยานิพนธ์ฉบับนี้จึงได้นำเสนอถึง การศึกษาการสร้างฟิล์มเพชรให้เกิดขึ้นตาม พื้นที่ที่ต้องการ เพื่อเป็นแนวทางเริ่มต้นในการพัฒนาเป็นอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ที่ทำจากเพชร ต่อไป ฐานรองซิลิกอนจะถูกเตรียมพื้นผิวด้วยเงื่อนไขต่างๆ กัน ซึ่งจะมีผลถึงการนิวคลีเอชันของ เพชรที่เกิดขึ้นด้วย ลวดลายของฟิล์มเพชรจะถูกออกแบบเพื่อศึกษาค่าพารามิเตอร์ต่างๆ ที่จำเป็น ในการออกแบบวงจรเบื้องต้น สำหรับการสร้างลวดลายของฟิล์มเพชร จะใช้เทคนิคในการ สร้างต่างๆ กัน เช่น การใช้ซิลิกอนไดออกไซด์เป็นหน้ากากป้องกันในการเกิดฟิล์มเพชร หรือ เทคนิคการใช้ผิวกระจกของแผ่นซิลิกอนที่ผ่านการขัดมัน (Mirror-polished Si) เป็น พื้นที่ป้องกันการเกิดฟิล์มเพชร ฟิล์มเพชรถูกสร้างด้วยวิธีการ Chemical Vapour Deposition (CVD) แบบความร้อน ซึ่งเป็นวิธีสร้างที่ได้รับการยอมรับว่าฟิล์มเพชรที่สังเคราะห์ได้มีความ บริสุทธิ์สูง อุปกรณ์มีราคาถูกและมีความปลอดภัยสูง ชิ้นงานที่สร้างขึ้นสามารถตรวจสอบลักษณะ พื้นผิวได้จากภาพถ่าย Scanning Electron Microscopy (SEM) และกล้องจุลทรรศน์ ในส่วนของการวิเคราะห์โครงสร้างและคุณสมบัติของฟิล์มเพชรจะศึกษาจากรูปแบบการเลี้ยวเบน ของรังสีเอ็กซ์ (X-ray diffraction) และ Raman Spectroscopy ผลการทดลองพบว่า ลวดลายของฟิล์มเพชรที่เกิดจากการใช้ซิลิกอนไดออกไซด์เป็นหน้ากากป้องกันจะได้ผลดีเมื่อเทียบ กับวิธีการใช้ผิวกระจกของแผ่นซิลิกอนเป็นพื้นที่ป้องกันการเกิดฟิล์มเพชร