ทรานซิสเตอร์โครงสร้างแบบ MOIS เป็นทรานซิสเตอร์ที่มี การทำงาน โดยใช้แรงดันไฟฟ้าเป็นตัวควบคุมกระแสที่ไหลในตัว ทรานซิสเตอร์เช่นเดียวกับทรานซิสเตอร์โครงสร้าง แบบ MOS ทั่ว ๆ ไป แต่ทรานซิสเตอร์โครงสร้างแบบ MOIS มีค่าความคล่องตัว ของประจุพาหะในช่องทางเดินกระแสน้อยกว่าทรานซิสเตอร์โครงสร้าง แบบ MOS ธรรมดา ดังนั้นการประยุกต์ใช้งานทรานซิสเตอร์โครงสร้าง แบบ MOIS จึงไม่เหมาะที่จะนำไปสร้างวงจรที่ต้องการใช้กระแสมาก ซึ่งวงจรกำเนิดความถี่ที่จะนำทรานซิสเตอร์ แบบ MOIS มาประยุกต์นี้ เป็นวงจรที่ทำงานในโหมดของแรงดัน และ ประกอบกับคุณสมบัติของผลึกฐานรองซิลิกอนที่ได้รับการเติมอะตอม ทองคำ ซึ่งใช้เป็นฐานรองในการสร้างทรานซิสเตอร์โครงสร้างแบบ MOIS ขณะได้รับความดันอากาศ จะทำให้โครงสร้างของผลึกเปลี่ยน รูปไป ส่งผลให้ค่าความคล่องตัวของประจุพาหะที่ใช้ในการนำ กระแสมีค่าเปลี่ยนแปลงตามโครงสร้างที่เปลี่ยนแปลงไป โดย เมื่อมีความดันอากาศมากระทบกับทรานซิสเตอร์ที่อยู่บนแผ่นผลึก ซิลิกอน จะทำให้ทรานซิสเตอร์มีค่าความนำกระแสเปลี่ยนแปลง ส่งผลให้อัตราการเปลี่ยนแปลงความถี่ของวงจรเมื่อได้รับความ ดันอากาศที่เปลี่ยนแปลงจากค่าปกติมีการเปลี่ยนแปลงไป ดังนั้น ทรานซิสเตอร์โครงสร้างแบบ MOIS จึงเหมาะสมมากที่จะนำมา สร้างเป็นวงจรกำเนิดความถี่ที่ควบคุมค่าความถี่ด้วยความดัน อากาศ ในวิทยานิพนธ์ฉบับนี้ได้เสนอวงจรกำเนิดความถี่ที่เหมาะสม กับทรานซิสเตอร์โครงสร้างแบบ MOIS คือวงจรริงออสซิลเลเตอร์ ซึ่งประกอบด้วยวงจรอินเวอร์เตอร์ที่ต่ออนุกรมกันเป็นจำนวนคี่ ที่ทำการป้อนกลับสัญญาณขาออกมายังสัญญาณขาเข้า ทั้งนี้ โครงสร้างของทรานซิสเตอร์แบบ MOIS ได้ออกแบบบนฐานรอง ซิลิกอนแบบ n ระนาบ (100) หนา 400 ไมโครเมตรที่มีพิกัด ความต้านทาน 8-12 โอห์ม.เซนมิเตรซึ่งถูกกัดแผ่นผลึกจาก ด้านหลังตรงบริเวณที่สร้างทรานซิสเตอร์ ให้มีความหนาของ แผ่นผลึกเป็น 20 ไมโครเมตร เป็นรูปสี่เหลี่ยมจตุรัสด้วย กระบวนการกัดเนื้อฐานรองซิลิกอนแบบแอนไอโซโทรปิคใน สารละลาย EPD การเปลี่ยนแปลงของความถี่เนื่องจากการ เปลี่ยนแปลงความดันอากาศนั้น เกิดจากการเปลี่ยนแปลงค่า ความนำไฟฟ้าในช่องทางเดินกระแสของทรานซิสเตอร์ที่อยู่ บริเวณไดอะแฟรมของซิลิกอน ในวิทยานิพนธ์ฉบับนี้ได้ทดสอบ ใช้ทรานซิสเตอร์ชนิดเอ็นและทรานซิสเตอร์ชนิดพีในวงจร กำเนิดความถี่วางบริเวณแผ่นผลึกซิลิกอนที่ได้รับผลกระทบ จากการกระทำของความดันอากาศ พบว่าทรานซิสเตอร์ ทั้งสองชนิดให้ค่าความแตกต่างของความถี่ ไม่เหมือนกัน ทั้งนี้จะขึ้นอยู่กับทิศทางการไหลของกระแสของทรานซิสเตอร์ เมื่อเทียบกับขอบของไดอะแฟรม โดยวงจรกำเนิดความถี่แบบ 3 ชุด ที่มีการแยกวาง NMOISFET ให้มีทิศทางการไหลของ กระแสเป็นแบบขนานกับขอบของไดอะแฟรม จะมีความไว มากที่สุด