| ชื่อเรื่อง | : | การศึกษา วิจัย และพัฒนาทรานซิสเตอร์โครงสร้าง CMOIS เป็นวงจรรวมขนาดเล็ก |
| นักวิจัย | : | จิรวัฒน์ ปานกลาง |
| คำค้น | : | - |
| หน่วยงาน | : | ฐานข้อมูลวิทยานิพนธ์ไทย |
| ผู้ร่วมงาน | : | - |
| ปีพิมพ์ | : | 2534 |
| อ้างอิง | : | http://www.thaithesis.org/detail.php?id=34066 |
| ที่มา | : | - |
| ความเชี่ยวชาญ | : | - |
| ความสัมพันธ์ | : | - |
| ขอบเขตของเนื้อหา | : | - |
| บทคัดย่อ/คำอธิบาย | : | ทรานซิสเตอร์ชนิดใหม่โครงสร้าง MOIS เป็นทรานซิสเตอร์ที่มีการ ทำงานเช่นเดียวกับมอสทรานซิสเตอร์ทั่ว ๆ ไป และเมื่อนำทรานซิสเตอร์ ชนิดเอ็น (NMOIS) และทรานซิสเตอร์ชนิดพี (PMOIS) มาสร้างบนฐาน รองเดียวกัน สามารถสร้างได้โดยไม่ต้องใช้โครงสร้างของบ่อแยก (well) เพื่อแยกทรานซิสเตอร์ทั้งสองออกจากกัน นอกจากนี้ถ้าหากคู่ ทรานซิสเตอร์ดังกล่าวต่อถึงกันทางไฟฟ้าแล้ว สามารถออกแบบวงจร ให้ทรานซิสเตอร์ดังกล่าวอยู่ชิดติดกันได้โดยไม่ต้องเว้นระยะห่างระหว่างกัน ทำให้ประหยัดพื้นที่ในการออกแบบวงจรลงได้เมื่อเทียบกับทรานซิสเตอร์ โครงสร้าง CMOS ดังนั้นโครงสร้างทรานซิสเตอร์ดังกล่าวข้างต้นจึง สมควรนำมาพัฒนาเป็นวงจรรวมต่อไป ในวิทยานิพนธ์ฉบับนี้ได้นำเสนองานวิจัย การพัฒนาทรานซิสเตอร์ โครงสร้าง CMOIS เป็นวงจรรวมทางตรรก และเป็นวงจรรวมเชิง เส้นขนาดเล็กเบื้องต้น วัตถุประสงค์ของงานวิจัย คือ ทำการศึกษาวิธี การควบคุมพฤติกรรมทางไฟฟ้าของวงจรให้เป็นไปตามความต้องการในการ ใช้งานวงจรรวมชนิดนั้น โดยเริ่มต้นเป็นการวิจัยกระบวนการควบคุม ค่าแรงดันขีดเริ่ม (...) ของทรานซิสเตอร์โครงสร้าง CMOIS ให้มี ค่าแรงดันขีดเริ่มของทรานซิสเตอร์ทั้งสองให้มีค่าเท่ากัน ด้วยวิธีการ เปลี่ยนแปลงค่าพิกัด ความต้านทานของฐานรองเริ่มต้นที่ใช้ในกระบวนการ สร้างพบว่าที่ค่าพิกัดความต้านทานเริ่มต้น 200 ohm.cm ได้ค่าแรงดันขีด เริ่มของทรานซิสเตอร์ทั้งสองเป็น 1.5 โวลต์ นอกจากนี้ยังทำการวิจัย การควบคุมค่าอัตราขยาย (B) ให้เป็นไปตามความต้องการในการออกแบบ วงจรรวมเพื่อให้ได้คุณสมบัติของวงจรตามต้องการ และได้ทำการออกแบบ ทรานซิสเตอร์เพื่อกำหนดกฎระเบียบในการออกแบบ (Design rule) ของการออกแบบวงจรรวมประเภท CMOIS พบว่าค่าความยาวของช่องทาง เดินกระแสที่สั้นที่สุดของทรานซิสเตอร์ชนิด NMOIS และ PMOIS มีค่า 20 และ 30 ไมโครเมตร ตามลำดับและค่าความกว้างน้อยที่สุดของทรานซิส- เตอร์ทั้งสองจะเป็น 80 ไมโครเมตร หลังจากได้วิธีการควบคุมพารา มิเตอร์ต่าง ๆ และวิธีการออกแบบทรานซิสเตอร์เพื่อประกอบเป็นวงจร รวมเรียบร้อยแล้วนำวิธีการดังกล่าวทำการออกแบบวงจรรวมทางตรรก และวงจรรวมเชิงเส้นเบื้องต้น เช่น วงจรรวมอินเวอร์เตอร์ วงจรรวม แอนด์และแนนด์เกท วงจรรวมออร์และนอร์เกท วงจรจุดชนวนของชมิตต์ และวงจรรวมริงออสซิลเลเตอร์ เป็นต้น เมื่อทำการออกแบบและทำการ สร้างเสร็จเรียบร้อยแล้วทำการวัดพฤติกรรมทางไฟฟ้าปรากฎว่า ผลที่ได้ จากการทดลองมีค่าแตกต่างจากผลจากการคำนวณไม่เกิน 20 เปอร์เซ็นต์ ค่าแรงดันขาออกสถานะสูงและแรงดันขาออกสถานะต่ำของวงจรรวมทาง ตรรกมีค่าเท่ากับค่าแรงดันไฟเลี้ยง (...) และค่าแรงดันอ้างอิง (0 โวลต์) ตามลำดับ โดยค่าแรงดันดันไฟเลี้ยงที่สามารถใช้งานได้ มีค่าตั้งแต่ 5 โวลต์ ถึง 15 โวลต์ |
| บรรณานุกรม | : |
จิรวัฒน์ ปานกลาง . (2534). การศึกษา วิจัย และพัฒนาทรานซิสเตอร์โครงสร้าง CMOIS เป็นวงจรรวมขนาดเล็ก.
กรุงเทพมหานคร : ฐานข้อมูลวิทยานิพนธ์ไทย. จิรวัฒน์ ปานกลาง . 2534. "การศึกษา วิจัย และพัฒนาทรานซิสเตอร์โครงสร้าง CMOIS เป็นวงจรรวมขนาดเล็ก".
กรุงเทพมหานคร : ฐานข้อมูลวิทยานิพนธ์ไทย. จิรวัฒน์ ปานกลาง . "การศึกษา วิจัย และพัฒนาทรานซิสเตอร์โครงสร้าง CMOIS เป็นวงจรรวมขนาดเล็ก."
กรุงเทพมหานคร : ฐานข้อมูลวิทยานิพนธ์ไทย, 2534. Print. จิรวัฒน์ ปานกลาง . การศึกษา วิจัย และพัฒนาทรานซิสเตอร์โครงสร้าง CMOIS เป็นวงจรรวมขนาดเล็ก. กรุงเทพมหานคร : ฐานข้อมูลวิทยานิพนธ์ไทย; 2534.
|
