การเปลี่ยนแปลงค่าความต้านทานไฟฟ้าของเนื้อสารกึ่งตัวนำเมื่อ ถูกกระทำด้วยความเค้น เรียกว่า ปรากฎการณ์เปียโชรีซิสทีป จากการ ค้นคว้าและวิจัยพบว่า ผลของปรากฎการณ์ปรากฎาเด่นชัดในเนื้อสาร ซิลิกอน จึงทำให้ซิลิกอนเป็นสารที่มีความเหมาะสมที่จะนำมาสร้าง เป็นทรานสดิวเซอร์ความดันขนาดเล็ก เพื่อใช้ในงานวิจัยทางการแพทย์ และประยุกต์ใช้งานทางด้านอุตสาหกรรม ในวิทยานิพนธ์ฉบับนี้ได้เสนองานวิจัน ทรานสดิวเซอร์ความดัน ชนิดซิลิกอนแบบเปียโซรีซิสทีป บนไดอะแฟรมบาง วัตถุประสงค์ของงาน วิจัยคือ การศึกษาหาวิธีการสร้างทรานสดิเซอร์ความเค้นจนเป็นอุปกรณ์ ที่สมบูรณ์ เริ่มต้นเป็นการศึกษาทฤษฎีของทรานสดิวเซอร์ความดัน เพื่อใช้ในการออกแบบตัวทรานสดิวเซอร ต่อจากนั้นจะกล่าวถึงกระบวน การสร้างบนแผ่นผลึก กระบวนการแอสเซมบลี และการเก็บบรรจุ สำหรับโครงสร้างของทรานสดิวเซอร์ความดันได้ออกแบบเป็นชิพฐาน รองซิลิกอนแบบอิพิแทกเชียลชนิด n/n+ ระนาบ (100) ตัวทรานสดิวเซอร์ ประกอบด้วยตัวต้านทานชนิดพีจำนวน 4 ตัว ได้จากการแพร่สารเจือโบรอน ลงบนไดอะแฟรมบางรูปสี่เหลี่ยมจตุรัสแผ่นไดอะแฟรมถูกสร้างขึ้นด้วย กระบวนการกัดเนื้อฐานรองซิลิกอนแบบแอนไอโซทรอปิค ในสารละลาย PED ด้วยเทคนิคการกัดด้วยไฟฟ้าเพื่อควบคุมความหนาของไดอะแฟรม ด้วยเทคนิคนี้สามารถสร้างไดอะแฟรมที่มีผิวเรียบและหนาสม่ำเสมอ ได้ความหนาเฉลี่ย 14 ไมครอน ซึ่งเมื่อนำมาสร้างเป็นทรานสดิเซอร์ ความดันจะได้ค่าความไวเฉลี่ย 17.82 (...)V/Vsupply.mmHg โดยไม่ปรากฎความไม่เป็นเชิงเส้นและฮีสเทอรีซิสของสัญญาณแรงดัน เอาท์พุท เมื่อทดสอบในช่วงความดัน 0 - 300 มม.ปรอท สำหรับ การศึกษาผลทางด้านอุณหภูมิที่มีต่อลักษณะสมบัติของทรานสดิวเซอร์ ความดัน เช่น การขยับเลื่อนของแรงดันออฟเซตตามอุณหภูมิ และ การขยับเลื่อนของค่าความไวตามอุณหภูมิ ได้ทำการวิเคราะห์เพื่อ ลดผลทานด้านนี้ด้วยการใช้โครงสร้างการ์ดริงล้อมรอบตัวต้านทาน แต่ละตัวไว้ ทรานสดิวเซอร์ที่สร้างขึ้นมีค่าความไวต่ออุณหภูมิของ แรงดันออฟเซตเฉลี่ย -17.5 (...)V/V.degree C และค่าสัมประสิทธิ์ อุณหภูมิของความไวเฉลี่ย -0.0057 (...)V/V.mmHg.degree C