งานวิจัยนี้ทำการหาสภาวะที่เหมาะสมที่สุด ของการเตรียมฟิล์มสะท้อนความร้อนอินเดียมทินออกไซด์ (ITO) ที่อุณหภูมิแผ่นรอบรับต่ำ (160(+,ท))C) บนแผ่นฟิล์มโพลีเอทิลีนเทอเลฟทาเลตความหนา 75 (+,m)m ด้วยเครื่องเคลือบฟิล์มบางภายใต้สูญญูกาศของบริษัท EDWARD รุ่น MK700S และทำการศึกษาผลกระทบของอุณหภูมิแผ่นรองรับ อัตราการเคลือบ ความดันย่อยออกซิเจน และความหนาฟิล์มในระหว่างการเคลือบต่อสมบัติทางแสง สมบัติทางไฟฟ้า โครงสร้างจุลภาคพื้นผิว โครงสร้างผลึกและองค์ประกอบของฟิล์ม สะท้อนความร้อนอินเดียมทินออกไซด์ ในการหาสภาวะที่เหมาะสมที่สุด ของการเคลือบฟิล์ม กำหนดให้สภาวะเริ่มต้นของการเคลือบฟิล์ม คือ อุณหภูมิแผ่นรองรับ (T(,s)) = 160 ((+,ท))C อัตราการเคลือบ (R(,t))=0.2 (+,ท)A/S, ความดันย่อยออกซิเจน (P(,O2)) = 2(+,ด)10(-4) mbar ความหนาฟิล์มเคลือบ 100 nm และปริมาณสารเจือทินออกไซด์คงที่ 9 โมล % จากนั้นทำการเปลี่ยนแปลงตัวแปรทีละตัวคือ อัตราการเคลือบฟิล์มในช่วง 0.2 - 2.0 (+,ท)A/s, ความดันย่อยออกซิเจนในช่วง 8(+,ด)10(-5)-4(+,ด)10(-4) mbar และความหนาฟิล์มในช่วง 60-200 nm. ตามลำดับ ทำการวัดค่าสมบัติทางแสงด้วยเครื่อง Spectrophotometer (บริษัท Shimadzu Co. Ltd. รุ่น UV-VIS-IR2100) ได้แก่ค่า การส่องผ่านแสงในช่วงตามองเห็น (%T(,vis)) และค่าการสะท้อนคลื่นความร้อน ในช่วงรังสีอินฟราเรดคลื่นใกล้ (%R(,NIR)) จากผลการทดลองสามารถสรุปสภาวะที่เหมาะสมที่สุดของการเตรียมฟิล์มสะท้อนความร้อน ITO ที่อุณหภูมิแผ่นรองรับต่ำ บนแผ่นโพลีเอทิลีนเทอเลฟทาเลตได้ดังนี้คือ อุณหภูมิแผ่นรองรับ (T(,s)) = 160 (+,ท)C, อัตราการเคลือบ (R(,t)) = 0.5 (+,ท)A/s, ความดันย่อยออกซิเจน (P(,02))=3(+,ด)10(-4) mbar และความหนาฟิล์ม 100 nm. โดยฟิล์ม ITO ที่เตรียมได้มีสมบัติทางแสงที่ดีที่สุดดังนี้ คือ T(,VIS)=81.61%, T(,SOLAR-IR)=77.89% และ R(,NIR)=16.01% และมีสมบัติทางไฟฟ้า คือ ค่าความต้านทานไฟฟ้า ((+,r)) เท่ากับ 1.218x10(-3) (+,w)*cm การศึกษาผลกระทบของอุณหภูมิแผ่นรองรับ อัตราการเคลือบ ความดันย่อยออกซิเจน และความหนาฟิล์มต่อสมบัติทางแสง สมบัติทางไฟฟ้า โครงสร้างจุลภาคพื้นผิว โครงสร้างผลึกและองค์ประกอบฟิล์มสามารถสรุปผลได้ดังนี้ ในการศึกษาสมบัติทางแสงของฟิล์ม ITO จากเครื่อง Spectrophotometer พบว่าค่าการส่องผ่านแสงในช่วงตามองเห็น (%T(,VIS)) มีค่าเพิ่มขึ้น เมื่ออุณหภูมิแผ่นรองรับและความดันย่อยออกซิเจนมีค่าเพิ่มขึ้น ขณะที่อัตราการเคลือบและความหนาฟิล์มมีค่าลดลง และเมื่อทำการศึกษาสมบัติทางไฟฟ้าของฟิล์ม ITO จากเครื่อง Four point probe พบว่าค่าความต้านทานไฟฟ้าเฉพาะมีค่าต่ำลง เมื่ออุณหภูมิแผ่นรองรับ ความดันย่อยออกซิเจน และความหนาฟิล์มมีค่าเพิ่มขึ้น ขณะที่อัตราการเคลือบ มีค่าลดลง ซึ่งจากการศึกษาโครงสร้างจุลภาคพื้นผิวด้วยเครื่อง Scanning electron microscope พบว่าขนาดเกรนจะมีขนาดใหญ่ขึ้นเมื่ออุณหภูมิแผ่นรองรับความดันย่อย ออกซิเจนและความหนาฟิล์มมีค่าเพิ่มขึ้น ขณะที่อัตราการเคลือบมีค่าลดลง การศึกษาโครงสร้างผลึกของ ITO ด้วยเครื่อง X-ray diffraction พบว่ามีผลึกของ In(,2)O(,3) เกิดขึ้นในฟิล์มแต่ไม่พบผลึกของ SnO(,2) แสดงว่าอะตอมของ SnO(,2) เข้าไปแทนที่อะตอมของ In(,2)O(,3) และการทดสอบองค์ประกอบของฟิล์มด้วยเครื่อง X-ray photoelectron spectroscopy พบว่ามีสารประกอบของ SnO(,2) เกิดขึ้นในฟิล์ม ITO จริง