| ชื่อเรื่อง | : | Study Of Cubic GaN On Porous GaAs Substrate For High Efficient Energy Devices. |
| นักวิจัย | : | Zainal, Norzaini |
| คำค้น | : | QC1-999 Physics |
| หน่วยงาน | : | Universiti Sains Malaysia, Malaysia |
| ผู้ร่วมงาน | : | - |
| ปีพิมพ์ | : | 2559 |
| อ้างอิง | : | Zainal, Norzaini (2016) Study Of Cubic GaN On Porous GaAs Substrate For High Efficient Energy Devices. Project Report. Universiti Sains Malaysia. (Submitted) |
| ที่มา | : | - |
| ความเชี่ยวชาญ | : | - |
| ความสัมพันธ์ | : | http://eprints.usm.my/32554/ |
| ขอบเขตของเนื้อหา | : | - |
| บทคัดย่อ/คำอธิบาย | : | Projek ini bermula dengan pembikinan struktur GaAs (100) berliang menggunakan larutan punaran H2S04: DMF dengan nisbah optimum 1 :3. Liang yang berbentuk bulat dengan keseragaman tinggi telah diperolehi berbanding dengan larutan punaran lain. Sam pel GaAs berliang tersebut sepatutnya digunakan untuk penumbahan GaN di atasnya menggunakan teknik MOCVD. This project was started with fabrication of porous GaAs (100) structure on GaAs (100) substrate using etching solution of H2S04: DMF with the optimum ratio of 1 :3. A well-defined circular shaped of porous GaAs was obtained with high uniformity, in comparison to other etching solutions. The porous GaAs sample was then used for growing GaN atop it using MOCVD technique. |
| บรรณานุกรม | : |
Zainal, Norzaini . (2559). Study Of Cubic GaN On Porous GaAs Substrate For High Efficient Energy Devices..
กรุงเทพมหานคร : Universiti Sains Malaysia, Malaysia. Zainal, Norzaini . 2559. "Study Of Cubic GaN On Porous GaAs Substrate For High Efficient Energy Devices.".
กรุงเทพมหานคร : Universiti Sains Malaysia, Malaysia. Zainal, Norzaini . "Study Of Cubic GaN On Porous GaAs Substrate For High Efficient Energy Devices.."
กรุงเทพมหานคร : Universiti Sains Malaysia, Malaysia, 2559. Print. Zainal, Norzaini . Study Of Cubic GaN On Porous GaAs Substrate For High Efficient Energy Devices.. กรุงเทพมหานคร : Universiti Sains Malaysia, Malaysia; 2559.
|
