ridm@nrct.go.th   ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย   รายการโปรดที่คุณเลือกไว้

Formation of zro2 thin films by thermal oxidation of sputtered zr on si and sic substrates [TN1-997].

หน่วยงาน Universiti Sains Malaysia, Malaysia

รายละเอียด

ชื่อเรื่อง : Formation of zro2 thin films by thermal oxidation of sputtered zr on si and sic substrates [TN1-997].
นักวิจัย : Tedi, Kurniawan
คำค้น : TN1-997 Mining engineering. Metallurgy
หน่วยงาน : Universiti Sains Malaysia, Malaysia
ผู้ร่วมงาน : -
ปีพิมพ์ : 2552
อ้างอิง : http://eprints.usm.my/15537/1/FORMATION_OF_ZrO2_THIN_FILMS.pdf , Tedi, Kurniawan (2009) Formation of zro2 thin films by thermal oxidation of sputtered zr on si and sic substrates [TN1-997]. Masters thesis, Universiti Sains Malaysia.
ที่มา : -
ความเชี่ยวชาญ : -
ความสัมพันธ์ : http://eprints.usm.my/15537/
ขอบเขตของเนื้อหา : -
บทคัดย่อ/คำอธิบาย :

Lapisan nipis ZrO2 untuk aplikasi get dielektrik telah dibentuk di atas substrat Si dan SiC dengan menggunakan kombinasi proses pemercitan logam dan pengoksidaan haba. ZrO2 thin films for gate dielectric application has been formed on Si and SiC substrates using a combination of metal sputtering and thermal oxidation process.

บรรณานุกรม :
Tedi, Kurniawan . (2552). Formation of zro2 thin films by thermal oxidation of sputtered zr on si and sic substrates [TN1-997]..
    กรุงเทพมหานคร : Universiti Sains Malaysia, Malaysia.
Tedi, Kurniawan . 2552. "Formation of zro2 thin films by thermal oxidation of sputtered zr on si and sic substrates [TN1-997].".
    กรุงเทพมหานคร : Universiti Sains Malaysia, Malaysia.
Tedi, Kurniawan . "Formation of zro2 thin films by thermal oxidation of sputtered zr on si and sic substrates [TN1-997].."
    กรุงเทพมหานคร : Universiti Sains Malaysia, Malaysia, 2552. Print.
Tedi, Kurniawan . Formation of zro2 thin films by thermal oxidation of sputtered zr on si and sic substrates [TN1-997].. กรุงเทพมหานคร : Universiti Sains Malaysia, Malaysia; 2552.